Forno de crescimento de cristal SiC com aquecimento por resistência de grande porte

Parâmetros Técnicos

Principais vantagens

 ● Compatibilidade em tamanho real

Permite o crescimento estável de cristais de carboneto de silício de 6, 8 e 12 polegadas, totalmente compatíveis com sistemas de materiais condutores, semi-isolantes e tipo N. Abrange as necessidades de produção de produtos com diferentes especificações e se adapta a diversos cenários de aplicação.

● Forte estabilidade de processo

Os cristais de 8 polegadas têm excelente consistência politipo 4H, formato de superfície estável e alta repetibilidade; a tecnologia de crescimento de cristal de carboneto de silício de 12 polegadas concluiu a verificação com alta viabilidade de produção em massa.

● Baixa taxa de defeito de cristal

Através do controle preciso de temperatura, pressão e potência, os defeitos do cristal são efetivamente reduzidos com indicadores-chave que atendem aos padrões – EPD=1435 ea/cm², BPD=381 ea/cm², TSD=0 ea/cm² e TED=1054 ea/cm². Todos os indicadores de defeitos atendem aos requisitos de qualidade de cristal de alta qualidade, melhorando significativamente o rendimento do lingote.

● Custos operacionais controláveis

Possui o menor consumo de energia entre produtos similares. Os componentes principais (como escudos de isolamento térmico) têm um longo ciclo de substituição de 6 a 12 meses, reduzindo custos operacionais abrangentes.

● Conveniência plug-and-play

Pacotes personalizados de receitas e processos com base nas características do equipamento, verificados por meio de produção de longo prazo e em vários lotes, permitindo a produção imediata após a instalação.

● Segurança e Confiabilidade

Adota um design especial de faísca anti-arco para eliminar riscos potenciais à segurança; funções de monitoramento em tempo real e alerta precoce evitam proativamente riscos operacionais.

● Excelente desempenho de vácuo

Os indicadores finais de vácuo e taxa de aumento de pressão excedem os níveis líderes internacionais, garantindo um ambiente limpo para o crescimento de cristais.

● Operação e Manutenção Inteligentes

Apresenta uma interface HMI intuitiva combinada com gravação de dados abrangente, suportando funções opcionais de monitoramento remoto para gerenciamento de produção eficiente e conveniente.

Exibição visual do desempenho principal

Curva de precisão de controle de temperatura

Precisão do controle de temperatura do forno de crescimento de cristais ≤ ±0,3°C; Visão geral da curva de temperatura

Gráfico de precisão de controle de pressão

Precisão do controle de pressão do forno de crescimento de cristal: 1,0 Torr, Precisão do controle de pressão: 0,001 Torr

Precisão de estabilidade de energia

Estabilidade e consistência entre fornos/lotes: A precisão da estabilidade da potência

Sob o status de crescimento do cristal, a precisão do controle de potência durante o crescimento estável do cristal é de ±0,15%.

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