Você sabe sobre o Susceptador de MOCVD?

No processo de deposição de vapor químico orgânico-metal (MOCVD), o Suceptor é um componente essencial responsável por apoiar a bolacha e garantir a uniformidade e o controle preciso do processo de deposição. Sua seleção de material e características do produto afetam diretamente a estabilidade do processo epitaxial e a qualidade do produto.

Suporte ao MOCVD(Deposição de vapor químico metal-orgânico) é um componente de processo essencial na fabricação de semicondutores. É usado principalmente no processo MOCVD (deposição de vapor químico orgânico metálico) para apoiar e aquecer a bolacha para a deposição de filmes finos. O design e a seleção de material do Sceptor são cruciais à uniformidade, eficiência e qualidade do produto final.

Tipo de produto e seleção de material:

O projeto e a seleção de material do susceptador de MOCVD são diversos, geralmente determinados pelos requisitos de processo e condições de reação.A seguir, são seguintes tipos de produtos comuns e seus materiais:

Susceptador revestido com sic(Susceptador revestido com carboneto de silício):

Descrição: Susceptador com revestimento SiC, com grafite ou outros materiais de alta temperatura como substrato e revestimento CVD SiC (revestimento CVD SiC) na superfície para melhorar sua resistência ao desgaste e resistência à corrosão.

APLICAÇÃO: amplamente utilizado em processos de MOCVD em ambientes de gás de alta temperatura e altamente corrosivos, especialmente na epitaxia de silício e deposição de semicondutores compostos.

TAC revestido Subers:

Descrição: Susceptador com revestimento TAC (revestimento TAC CVD), pois o material principal possui dureza extremamente alta e estabilidade química e é adequada para uso em ambientes extremamente corrosivos.

APLICAÇÃO: Utilizada em processos de MOCVD que requerem maior resistência à corrosão e resistência mecânica, como a deposição de nitreto de gálio (GaN) e arseneto de gálio (GAAs).

Susceptador de grafite revestido com carboneto de silício para MOCVD:

Descrição: O substrato é grafite e a superfície é coberta com uma camada de revestimento CVD SiC para garantir estabilidade e vida útil longa a altas temperaturas.

APLICAÇÃO: Adequado para uso em equipamentos como reatores de MOCVD Aixtron para fabricar materiais semicondutores compostos de alta qualidade.

Suporte de EPI (apoiador de epitaxia):

Descrição: Susceptador especialmente projetado para o processo de crescimento epitaxial, geralmente com revestimento SiC ou revestimento TAC para melhorar sua condutividade e durabilidade térmica.

APLICAÇÃO: Na epitaxia de silício e epitaxia de semicondutores compostos, é usada para garantir aquecimento e deposição uniforme das bolachas.

Principal Papola do Susceptador para MOCVD no Processamento de Semicondutores:

Suporte de bolas e aquecimento uniforme:

Função: Susceptor é usado para apoiar as bolachas nos reatores MOCVD e fornecer distribuição uniforme de calor por meio de aquecimento de indução ou outros métodos para garantir a deposição uniforme do filme.

Condução de calor e estabilidade:

Função: A condutividade térmica e a estabilidade térmica dos materiais susceptores são cruciais. O susceptador com revestimento de SiC e o susceptador revestido com TAC podem manter a estabilidade em processos de alta temperatura devido à sua alta condutividade térmica e alta resistência à temperatura, evitando defeitos de filme causados ​​pela temperatura desigual.

Resistência à corrosão e vida longa:

Função: No processo de MOCVD, o susceptador é exposto a vários gases precursores químicos. O revestimento SiC e o revestimento TAC fornecem excelente resistência à corrosão, reduzem a interação entre a superfície do material e o gás de reação e prolongam a vida útil do Susceptor.

Otimização do ambiente de reação:

Função: Usando susceptores de alta qualidade, o fluxo de gás e o campo de temperatura no reator MOCVD são otimizados, garantindo um processo uniforme de deposição de filme e melhorando o rendimento e o desempenho do dispositivo. Geralmente é usado em susceptores para reatores MOCVD e equipamentos AIXTRON MOCVD.

Recursos do produto e vantagens técnicas：

Alta condutividade térmica e estabilidade térmica:

Características: Os susceptores revestidos com SIC e TAC têm condutividade térmica extremamente alta, podem distribuir rápida e uniformemente o calor e manter a estabilidade estrutural a altas temperaturas para garantir aquecimento uniforme das bolachas.

Vantagens: Adequado para processos de MOCVD que requerem controle preciso da temperatura, como o crescimento epitaxial de semicondutores compostos, como nitreto de gálio (GAN) e arseneto de gálio (GAAs).

Excelente resistência à corrosão:

Características: o revestimento CVD SiC e o revestimento TAC CVD têm inércia química extremamente alta e podem resistir à corrosão de gases altamente corrosivos, como cloretos e fluoretos, protegendo o substrato do suscetador contra danos.

Vantagens: prolongar a vida útil do suscetador, reduzir a frequência de manutenção e melhorar a eficiência geral do processo MOCVD.

Alta resistência mecânica e dureza:

Características: A alta dureza e resistência mecânica dos revestimentos SiC e TAC permitem que o suscetador suporta o estresse mecânico em ambientes de alta temperatura e alta pressão e mantenha a estabilidade e a precisão a longo prazo.

Vantagens: particularmente adequado para processos de fabricação de semicondutores que requerem alta precisão, como crescimento epitaxial e deposição de vapor químico.

Perspectivas de aplicação e desenvolvimento de mercado

Susceptores de MOCVDsão amplamente utilizados na fabricação de LEDs de alto brilho, dispositivos eletrônicos de potência (como HEMTs à base de GaN), células solares e outros dispositivos optoeletrônicos. Com a crescente demanda por mais desempenho e menor consumo de energia, dispositivos semicondutores, a tecnologia MOCVD continua avançando, impulsionando a inovação em materiais e projetos suscettores. Por exemplo, desenvolvendo a tecnologia de revestimento SiC com maior pureza e menor densidade de defeitos e otimizando o projeto estrutural do suscetador para se adaptar a bolachas maiores e processos epitaxiais de várias camadas mais complexos.

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