Susceptor revestido de CVD TaC

Definição e Composição do Produto

O susceptor revestido VETEK CVD TaC é um componente transportador de wafer de alta qualidade usado especificamente para processamento epitaxial de semicondutores de terceira geração (SiC, GaN, AlN). Este produto combina as vantagens físicas de dois materiais de alto desempenho:

Substrato de grafite de alta pureza: Utiliza um processo de moldagem por pressão isostática para garantir que o substrato possua resistência estrutural superior, alta densidade e estabilidade de processamento térmico.

Revestimento CVD TaC: Uma camada protetora densa e livre de estresse de carboneto de tântalo (TaC) é cultivada na superfície de grafite por meio da avançada tecnologia de deposição química de vapor (CVD).

Principais vantagens técnicas: Extraordinária adaptabilidade a ambientes extremos

No processo MOCVD, o revestimento TaC não é apenas uma camada protetora física, mas também o núcleo para garantir a repetibilidade do processo:

Tolerância a temperaturas extremamente altas: TaC tem um ponto de fusão tão alto quanto 3880°C, mantendo excelente estabilidade de forma mesmo em processos epitaxiais de temperatura ultra-alta acima de 1600°C.

Excelente resistência à corrosão: Em ambientes fortemente redutores contendo NH₃(Amônia) ou H₂(Hidrogênio), a taxa de corrosão do TaC é extremamente baixa, evitando efetivamente a perda de substrato e a precipitação de impurezas.

Garantia de Pureza Ultra-Alta: A pureza do revestimento chega a 99,9995%. Sua estrutura densa sela completamente os microporos de grafite, garantindo que o filme epitaxial atinja níveis de impurezas extremamente baixos.

Distribuição precisa do campo térmico: A tecnologia de controle de revestimento otimizado da VETEK garante que a diferença de temperatura da superfície do susceptor seja controlada dentro de ±2°C, melhorando significativamente a espessura e a consistência do comprimento de onda da camada epitaxial do wafer.

Parâmetros Técnicos

Revestimento de carboneto de tântalo (TaC) em uma seção transversal microscópica:

Campos principais de aplicação

Crescimento epitaxial de SiC (carboneto de silício): Suporta a produção de dispositivos de energia SiC de 6, 8 polegadas e tamanhos maiores.

Dispositivos baseados em GaN (nitreto de gálio): Usado em processos MOCVD para LEDs de alto brilho, dispositivos de energia HEMT e chips RF.

AlN (nitreto de alumínio) e crescimento de UVC: Fornece soluções de transporte em temperaturas extremamente altas (1400°C+) para materiais com bandgap ultralargo, como LEDs Deep UV.

Suporte de pesquisa personalizado: Adapta-se às necessidades de personalização de precisão dos institutos de pesquisa para diversas peças irregulares e discos multifuros.

Modelos Compatíveis e Serviços de Personalização

A VETEK possui capacidades precisas de processamento mecânico e revestimento, adaptando-se perfeitamente aos principais equipamentos MOCVD globais:

AIXTRON: Suporta vários discos e bases de rotação planetária.

Veeco: Suporta K465i, Propel e outras séries de susceptores verticais.

AMEC e outros: Fornece peças de reposição totalmente compatíveis ou soluções de atualização.