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Câmara do reator epitaxial revestida com SiC

Câmara do reator epitaxial revestida com SiC

A câmara do reator epitaxial revestido com SiC da Veteksemicon é um componente central projetado para processos exigentes de crescimento epitaxial de semicondutores. Utilizando deposição química de vapor avançada (CVD), este produto forma um revestimento de SiC denso e de alta pureza em um substrato de grafite de alta resistência, resultando em estabilidade superior em altas temperaturas e resistência à corrosão. Ele resiste efetivamente aos efeitos corrosivos dos gases reagentes em ambientes de processo de alta temperatura, suprime significativamente a contaminação por partículas, garante qualidade consistente do material epitaxial e alto rendimento, e estende substancialmente o ciclo de manutenção e a vida útil da câmara de reação. É uma escolha fundamental para melhorar a eficiência e a confiabilidade da fabricação de semicondutores de banda larga, como SiC e GaN.
Barco Cassete de Silício

Barco Cassete de Silício

O Silicon Cassette Boat da Veteksemicon é um transportador de wafer de engenharia de precisão desenvolvido especificamente para aplicações em fornos semicondutores de alta temperatura, incluindo oxidação, difusão, drive-in e recozimento. Fabricado em silício de altíssima pureza e com acabamento de acordo com padrões avançados de controle de contaminação, ele fornece uma plataforma termicamente estável e quimicamente inerte que se aproxima das propriedades dos próprios wafers de silício. Este alinhamento minimiza o estresse térmico, reduz a formação de deslizamentos e defeitos e garante uma distribuição de calor excepcionalmente uniforme em todo o lote
Peças do receptor EPI

Peças do receptor EPI

No processo central de crescimento epitaxial de carboneto de silício, a Veteksemicon entende que o desempenho do susceptor determina diretamente a qualidade e a eficiência de produção da camada epitaxial. Nossos susceptores EPI de alta pureza, projetados especificamente para o campo de SiC, utilizam um substrato especial de grafite e um denso revestimento CVD de SiC. Com sua estabilidade térmica superior, excelente resistência à corrosão e taxa de geração de partículas extremamente baixa, eles garantem espessura incomparável e uniformidade de dopagem para os clientes, mesmo em ambientes de processos severos de alta temperatura. Escolher a Veteksemicon significa escolher a base de confiabilidade e desempenho para seus processos avançados de fabricação de semicondutores.
Susceptor de grafite revestido com SiC para ASM

Susceptor de grafite revestido com SiC para ASM

O susceptor de grafite revestido com SiC Veteksemicon para ASM é um componente transportador central em processos epitaxiais de semicondutores. Este produto utiliza nossa tecnologia proprietária de revestimento de carboneto de silício pirolítico e processos de usinagem de precisão para garantir desempenho superior e uma vida útil ultralonga em ambientes de processos corrosivos e de alta temperatura. Compreendemos profundamente os rigorosos requisitos dos processos epitaxiais em termos de pureza do substrato, estabilidade térmica e consistência, e estamos comprometidos em fornecer aos clientes soluções estáveis ​​e confiáveis ​​que melhorem o desempenho geral do equipamento.
Cadinho de quartzo semicondutor

Cadinho de quartzo semicondutor

Os cadinhos de quartzo de grau semicondutor Veteksemicon são consumíveis essenciais no processo de crescimento de cristal único Czochralski. Com extrema pureza e estabilidade térmica superior como nosso foco principal, estamos comprometidos em fornecer aos clientes produtos de alta qualidade que apresentem desempenho estável e excelente resistência à cristalização em ambientes de alta temperatura e alta pressão. Isso garante a qualidade dos bastões de cristal desde a fonte, ajudando a fabricação de wafers de silício semicondutores a obter rendimentos mais elevados e melhor custo-benefício.
Anel de foco de carboneto de silício

Anel de foco de carboneto de silício

O anel de foco Veteksemicon foi projetado especificamente para equipamentos exigentes de gravação de semicondutores, especialmente aplicações de gravação de SiC. Montado ao redor do mandril eletrostático (ESC), próximo ao wafer, sua função principal é otimizar a distribuição do campo eletromagnético dentro da câmara de reação, garantindo ação de plasma uniforme e focada em toda a superfície do wafer. Um anel de foco de alto desempenho melhora significativamente a uniformidade da taxa de gravação e reduz os efeitos de borda, aumentando diretamente o rendimento do produto e a eficiência da produção.
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