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Susceptador de wafer revestido com CVD SiC da VetekSemicon é uma solução de ponta para processos epitaxiais de semicondutores, oferecendo pureza ultra-alta (≤100ppb, ICP-E10 certificada) e estabilidade térmica/química excepcional para o crescimento de contaminação. Projetado com tecnologia CVD de precisão, suporta bolachas de 6 ”/8”/12 ”, garante tensão térmica mínima e suporta temperaturas extremas até 1600 ° C.

Nosso susceptador planetário revestido com SiC é um componente central no processo de alta temperatura da fabricação de semicondutores. Seu projeto combina substrato de grafite com revestimento de carboneto de silício para obter otimização abrangente do desempenho do gerenciamento térmico, estabilidade química e resistência mecânica.

Nossas placas porosas de cerâmica SiC são materiais de cerâmica porosa feitos de carboneto de silício como componente principal e processados ​​por processos especiais. São materiais indispensáveis ​​na fabricação de semicondutores, deposição de vapor químico (DCV) e outros processos.

Nosso anel de vedação revestido com SiC para epitaxia é um componente de vedação de alto desempenho baseado em compósitos de grafite ou carbono carbono revestido com carboneto de silício de alta pureza (SIC) por deposição de vapor químico (CVD), que combina a estabilidade térmica do grafite com a resistência ambiental extrema de sic, e é projetada para o semestrutor semxtutor.

Nosso barco de quartzo de alta pureza é feito de quartzo fundido (conteúdo de SiO₂ ≥ 99,99%). Com sua excelente resistência a ambientes extremos, baixo coeficiente de expansão térmica e ciclo de vida longo, tornou -se uma chave insubstituível consumível nas indústrias de semicondutores e novas energia.

O anel de foco para a gravação é o componente principal para garantir a precisão e a estabilidade do processo. Esses componentes são montados com precisão em uma câmara de vácuo para obter usinagem uniforme de estruturas em nanoescala na superfície da wafer através do controle preciso da distribuição plasmática, temperatura da borda e uniformidade do campo elétrico.