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Componentes do reator planetário Aixtron G10 Solid SiC

Componentes do reator planetário Aixtron G10 Solid SiC

Os acessórios de SiC sólido da VeTek Semiconductor para a plataforma Aixtron G10-SiC são componentes de carboneto de silício totalmente densos e de alta pureza, projetados para o exigente ambiente térmico e químico do crescimento epitaxial de SiC. Essas peças oferecem excelente estabilidade em altas temperaturas, resistência química e geração de partículas ultrabaixas, suportando a configuração de reator planetário de alto rendimento 9×150 mm / 6×200 mm usada na fabricação de dispositivos de energia.
Serviço de limpeza de peças de grafite de revestimento CVD SiC

Serviço de limpeza de peças de grafite de revestimento CVD SiC

O Serviço de Limpeza Profissional VETEK para Peças de Grafite Revestidas com SiC CVD é um serviço técnico especializado projetado para susceptores de equipamentos Aixtron / Veeco MOCVD e componentes de grafite utilizados em processos epitaxiais GaN / AlN / AlGaN. Nosso processo de limpeza proprietário elimina completamente o efeito de memória de superfície, restaura o fluxo de gás estável no reator e protege estritamente o revestimento CVD SiC de 100 µm com perda absoluta de espessura e zero resíduo de metal.
Susceptor de grafite revestido de SiC CVD para transportador de wafer

Susceptor de grafite revestido de SiC CVD para transportador de wafer

O susceptor de grafite revestido com SiC VETEK CVD para transportador de wafer é um componente de suporte de wafer de alto desempenho projetado para processos de epitaxia de semicondutores. O produto usa grafite de alta pureza como substrato e é revestido com uma camada uniforme de carboneto de silício (SiC) CVD, proporcionando excelente estabilidade térmica, resistência química e controle de partículas. Como um componente susceptor de grafite crítico, ele suporta diretamente os wafers dentro da câmara de reação e ajuda a manter a distribuição uniforme da temperatura e condições estáveis ​​de crescimento epitaxial.
Pó de SiC de alta pureza para crescimento de cristais de SiC

Pó de SiC de alta pureza para crescimento de cristais de SiC

A VeTek Semiconductor fornece pó de carboneto de silício (SiC) de alta pureza de qualidade premium, feito sob medida especificamente para crescimento de cristal de SiC de alto rendimento (processo PVT), produção de substrato semicondutor e cerâmica funcional avançada. Processada por meio de tecnologia de purificação ultralimpa, nossa matéria-prima SiC de alta pureza fornece níveis de traços metálicos excepcionalmente baixos, desempenho de sublimação reproduzível e qualidade lote a lote altamente consistente para atender aos rigorosos requisitos de fabricação de semicondutores.
Barco de wafer de quartzo de alta pureza para TEL

Barco de wafer de quartzo de alta pureza para TEL

O barco wafer de quartzo de alta pureza VETEK para equipamentos semicondutores TEL é fabricado a partir de material de quartzo de grau semicondutor e projetado para manuseio de wafer em processos de alta temperatura, como difusão, oxidação, recozimento e CVD. Com excelente estabilidade térmica, resistência química e características de baixa contaminação, fornece suporte confiável de wafer para aplicações de fabricação de semicondutores.
Anel de grafite revestido com carboneto de tântalo poroso (TaC)

Anel de grafite revestido com carboneto de tântalo poroso (TaC)

O anel de grafite revestido com TaC poroso VETEK é um componente de campo térmico projetado para crescimento de cristal único de SiC por meio do processo PVT (Transporte Físico de Vapor). É produzido a partir de grafite poroso de alta pureza e revestido com carboneto de tântalo (TaC) usando tecnologia CVD. O projeto visa estabilidade em altas temperaturas, resiliência química e desempenho de campo térmico controlado. Ao minimizar a contaminação e apoiar a consistência do processo, este componente contribui para resultados reproduzíveis de crescimento de cristais de SiC.
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