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O pó de carboneto de silício (SiC) de alta pureza VeTek Semiconductor é especialmente desenvolvido para crescimento de cristais de SiC, materiais semicondutores e aplicações cerâmicas avançadas. Através de tecnologia de purificação avançada e controle de qualidade rigoroso, nosso pó de SiC oferece níveis de impurezas ultrabaixos, distribuição estável de partículas e excelente consistência para processos de fabricação exigentes.

Nas configurações de crescimento de cristal SiC PVT, as peças de grafite funcionam em temperaturas muito altas por longos períodos. O anel de grafite revestido com PyC da VeTek foi construído para esse tipo de tarefa. Uma camada pirolítica de carbono é depositada em grafite de alta pureza via CVD. Isso proporciona à peça melhor estabilidade superficial e menos partículas saindo durante a operação. Geralmente você o coloca na área do campo térmico para ajudar a gerenciar o fluxo de vapor e como o calor se espalha dentro do forno. O revestimento também retarda a sublimação do grafite quando a temperatura ultrapassa os 2.200°C, o que faz com que todo o componente dure mais.

Projetado para cercar a zona de rastreamento do wafer, o Anel de Foco Sólido SiC garante distribuição linear de plasma e perfis de gravação exatos de ponta a ponta. Esses componentes β-SiC premium são construídos pela Vetek Semiconductor (Wuyi Tianyao New Material Technology Co., LTD) usando tecnologia proprietária de Deposição de Vapor Químico (CVD). Ao vaporizar as matérias-primas em uma matriz densa e sem aglutinantes, a Vetek elimina as microlacunas porosas comuns em materiais mais antigos. Em comparação com a blindagem padrão de quartzo ou silício, nossos componentes CVD SiC resistem muito melhor a gases halógenos corrosivos, protegendo o wafer em lógica sub-7nm profunda e fabricação densa de chips de memória.

Este pino de levantamento wafer AMAT 0200-03201 da VeTek começa com grafite de alta pureza e, em seguida, adicionamos um revestimento denso de CVD SiC por cima. É feito para sistemas epitaxia de 300 mm e reatores EPI de materiais aplicados. Por que grafite e SiC? O grafite lida muito bem com o calor. A camada de SiC absorve gases corrosivos e não se desgasta rapidamente. O design de parede fina? Isso proporciona um levantamento e posicionamento mais limpos do wafer, menos partículas e maior vida útil da peça sob altas temperaturas. Também fabricamos peças semelhantes de grafite revestidas com SiC para sistemas ASM, Aixtron e LPE. Aguardamos sua consulta.

A Vetek Semiconductor fabrica transportadores de wafer para sistemas VEECO MOCVD, construídos especificamente para trabalhos de epitaxia de LED, como LEDs GaN, LEDs azul-verdes e crescimento profundo de LED UV. Esses transportadores começam com grafite de alta pureza e obtêm um revestimento denso de carboneto de silício (SiC) CVD. Essa combinação resiste bem às altas temperaturas que você vê no MOCVD – boa estabilidade térmica, resistência à corrosão e durabilidade do revestimento.

O Halfmoon é um componente de grafite utilizado dentro de reatores LPE SiC, instalados principalmente ao redor da zona quente da câmara. Embora não entre em contato direto com o wafer, ele ainda desempenha um papel na estabilidade do fluxo de gás e na operação do reator durante o crescimento epitaxial. Para lidar com altas temperaturas e condições de processo reativas, o componente é geralmente protegido com revestimento CVD SiC, enquanto o revestimento TaC também está disponível para algumas aplicações. A VETEK também fornece isolamento de feltro de grafite e outras peças revestidas de grafite para sistemas de epitaxia SiC.