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Aquecedor de grafite personalizado para zona quente
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Aquecedor de grafite personalizado para zona quente

Na fabricação de semicondutores e no processamento avançado de materiais, a estabilidade e a pureza do campo térmico ditam diretamente a competitividade central do produto final. A VETEK se dedica à pesquisa e desenvolvimento e à fabricação de sistemas de aquecimento de grafite de alto desempenho, fornecendo soluções confiáveis ​​para MOCVD, epitaxia de SiC e vários fornos a vácuo de alta temperatura.

Por que escolher a VETEK?


  ●Uniformidade Térmica Extrema: Os aquecedores VETEK passam por simulação estrutural e projeto precisos para garantir excelente consistência de temperatura mesmo em ambientes extremos de até 2.200°C, aumentando efetivamente o rendimento do wafer.

  ●Garantia de material de alta pureza: Selecionamos estritamente grafite isostática de alta pureza, mantendo o teor de cinzas em níveis ultrabaixos para eliminar a contaminação por íons metálicos em altas temperaturas da fonte.

  ●Tecnologia Avançada de Revestimento: Aproveitando os principais pontos fortes da VETEK, oferecemos revestimentos opcionais de SiC (Carbeto de Silício). Isso aumenta significativamente a resistência à oxidação e à corrosão, garantindo uma vida útil mais longa em ambientes agressivos com gases químicos.

  ●Personalização de precisão: Quer se trate de estruturas de disco cilíndricas, espirais ou complexas, a VETEK fornece usinagem de alta precisão com base em seus desenhos técnicos para garantir um ajuste perfeito ao seu equipamento.

  ●Proteção Logística Abrangente: Reconhecendo a natureza frágil do grafite, a VETEK atualizou seu sistema de embalagem. Nosso reforço antichoque multicamadas garante “dano zero” durante o trânsito internacional, eliminando preocupações com atrasos na produção.


Campos principais de aplicação

  ●Epitaxia Semicondutora: Componentes centrais de campo térmico para equipamentos MOCVD (compatíveis com modelos convencionais como o K465i).

  ●Crescimento de cristal SiC: Controle de campo térmico de precisão para o crescimento de carboneto de silício e outros materiais semicondutores de banda larga.

  ●Equipamento de vácuo de alta temperatura: Amplamente utilizado em fornos de sinterização a vácuo, brasagem de precisão e equipamentos de tratamento térmico de última geração.

  ●Substratos para revestimentos avançados: Material de base ideal para revestimentos CVD SiC, SiN ou SiO.


Especificações Técnicas

Também oferecemos suporte a materiais personalizados com níveis de pureza mais elevados para condições operacionais específicas.


Especificação Técnica
Valor de referência
Densidade aparente
≥1,85g/cm3
Conteúdo de cinzas
≤500 PPM
Dureza Shore
≥45
Resistência Específica
≤12 \muΩ⋅m
Resistência à Flexão
≥40MPa
Resistência à Compressão
≥70 MPa
Máx. Tamanho do grão
≤43 \ mãe
Coeficiente de Expansão Térmica (CTE)
≤4,4×10−6/∘C
Especificação Técnica
Valor de referência

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