Receptor de disco de grafite

Susceptor de disco de grafite da Vetek Semiconductor, um produto de alto desempenho para processos avançados de fabricação de semicondutores. Nosso susceptor de disco de grafite foi projetado para atender aos exigentes requisitos da indústria e fornecer desempenho e confiabilidade excepcionais. Este susceptador de disco de grafite é OEM para a plataforma de reator planetário AIX G5.

GaN-on-Si MOCVD é usado para produção epitaxial de LED, e o reator Aixtron G5 melhora o rendimento e a uniformidade da plataforma MOCVD. Um padrão uniforme simétrico totalmente girado em cinco wafers de 200 mm, usando um substrato de silício de espessura padrão e controlando o comportamento de curvatura do wafer formalizou o que eles precisavam para a fabricação de silício.

Susceptador de disco de grafite de alta pureza do vetek para MOCVD GaN-On-Si, uma solução confiável e econômica para processos avançados de fabricação de semicondutores.

Nosso susceptor de disco de grafite de alta pureza foi projetado especificamente para atender aos requisitos dos processos MOCVD GaN-on-Si. Com sua excepcional estabilidade térmica e resistência ao calor, ele pode suportar as exigentes condições de temperatura que normalmente variam de 800°C a 1100°C, garantindo desempenho ideal durante o processo de deposição.

O material de grafite de alta pureza usado em nosso susceptor de disco oferece excelente resistência química, tornando-o compatível com amônia (NH3) e precursores de metais orgânicos comumente usados ​​em MOCVD GaN-on-Si. Isto elimina a necessidade de adicionaisRevestimentos de SiC, reduzindo os custos de produção sem comprometer o desempenho.

O Susceptador de disco de grafite de alta pureza do vetek semicondutor oferece uma solução econômica sem comprometer a qualidade. Sua confiabilidade, durabilidade e compatibilidade com os processos de MOCVD Gan-on-Si tornam a escolha preferida para os fabricantes de semicondutores. Trust VETEK Semicondutor para oferecer susceptores de disco de grafite de alto desempenho para suas necessidades de fabricação de Gan-on-Si MOCVD.