Crisol de grafite de três petais

O cadinho de grafite de três petais do vetek semicondutor projetado para o processo de crescimento do silício monocristalino pelo método CZ, a estrutura de três petais que grafite cadinho é feita de material de grafite isostático de alta pureza. Através da estrutura inovadora de três petês, o cadinho integrado tradicional pode resolver efetivamente as dificuldades de desmontagem, a concentração de estresse térmico e outros pontos da indústria e é amplamente utilizado em bolachas de silício fotovoltaicas, bolachas de semicondutores e outros campos de fabricação de ponta.

Destaques do processo central

1. Tecnologia de processamento de grafite ultra-precisão

Pureza do material: o uso de substrato de grafite pressionado isostático com conteúdo de cinzas <5ppm, se necessário e geralmente ＜ 10ppm para garantir a poluição zero no processo de fusão de silício

Fortalecimento estrutural: Após ser grafitizado em 2200 ℃, a força de flexão é ≥45MPa e o coeficiente de expansão térmica é ≤4,6 × 10⁻⁶/℃

Tratamento da superfície: o revestimento de carbono pirolítico de 10 a 15μm é depositado pelo processo CVD para melhorar a resistência à oxidação (perda de peso <1,5%/100h@1600℃).

2. Design de estrutura de três petações inovadoras

MONTAGEM MODULAR: 120 ° Estrutura de três lobos, instalação e eficiência de desmontagem aumentou 300%

Projeto de liberação de estresse: a estrutura dividida dispersa efetivamente o estresse de expansão térmica e estende a vida útil do serviço a mais de 200 ciclos

Ajuste de precisão: a lacuna entre as válvulas é <0,1 mm, e o adesivo de cerâmica de alta temperatura garante vazamento zero no processo de fusão de silício

3. Serviços de processamento personalizados

Suporte φ16 "-φ40" Personalização em tamanho real, controle de tolerância à espessura da parede ± 0,5mm

A estrutura de densidade do gradiente 1.83g/cm³ pode ser selecionada para otimizar a distribuição do campo térmico

Forneça processos de valor agregado, como revestimento composto de nitreto de boro e fortalecimento da borda de metal do rionium

Cenário de aplicação típico

Indústria fotovoltaica

Rod de silício monocristalino Desenho contínuo: Adequado para a produção de wafer de silício de tamanho grande G12, suporte ≥500 kg de capacidade de carregamento

N-Type Topcon Bateria: Migração de impureza ultra-baixa garante vida minoritária> 2ms

Atualização de campo térmico: compatível com modelos de forno de cristal único principal (PVI, Ferrotec, etc.)

Fabricação de semicondutores

Crescimento de silício monocristalino de 8 a 12 polegadas de grau semicondutor: atenda aos requisitos de limpeza semi-padrão de classe 10

Cristais dopados especiais: controle preciso da uniformidade de distribuição de boro/fósforo

Semicondutor de terceira geração: processo compatível de preparação de cristal único SiC

Campo de pesquisa científica

Pesquisa e desenvolvimento de bolachas de silício ultrafinas para células solares espaciais

Teste de crescimento de novos materiais de cristal (germânio, arseneto de gálio)

Pesquisa de parâmetros limitados (3000 ℃ Experimento de fusão de temperatura ultra-alta)

Sistema de garantia de qualidade

Certificação do sistema duplo ISO 9001/14001

Forneça relatório de teste de material para clientes (análise de composição do DRX, microestrutura SEM)

Sistema de rastreabilidade de todo o processo (marcação a laser + armazenamento blockchain)