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Anel superior de epitaxia revestido com carboneto de silício CVD de 8 polegadas (SiC)
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Anel superior de epitaxia revestido com carboneto de silício CVD de 8 polegadas (SiC)

O anel superior SiC epi de 8 polegadas é uma peça de hardware para reatores semicondutores. Funciona dentro de sistemas epitaxia Si/SiC e MOCVD/CVD. Este anel estabiliza o calor dentro da câmara. Ele também controla o fluxo de gases. O material é carboneto de silício CVD de alta pureza. Não apresenta os problemas de liberação de gases do grafite. Também reduz a contaminação por partículas durante a produção. Agradecemos suas dúvidas.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade
Valor típico
Estrutura Cristalina
FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade
3,21g/cm³
Dureza
Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão
2~10μm
Pureza Química
99,99995%
Capacidade de calor
640 J·kg-1·K-1
Temperatura de Sublimação
2700°C
Resistência Flexural
415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young
Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica
300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)
4,5×10-6K-1


Principais recursos do anel superior SiC Epi de 8 polegadas


● Alta Pureza: mínimo de 99,9995%. O metal não migrará para a camada epi. Isso mantém a concentração do transportador de wafer onde precisa estar.

● Supressão de partículas: A estrutura do CVD é densa. Sem poros. Não lançará partículas enquanto a ferramenta estiver em execução. As fábricas obtêm melhores rendimentos desta forma.

● Resistência ao calor: O anel permanece estável a 1500°C. Baixo CTE (expansão térmica) significa ausência de empenamento durante ciclos rápidos de aquecimento/resfriamento.

● Estabilidade Química: O SiC CVD sólido resiste aos gases H2 e HCl. Também resiste ao NH3. Não tem revestimento para descascar. Não se degrada em ambientes severos de CVD.

● Vida útil do componente: A superfície é extremamente dura. Ele sobrevive a repetidas limpezas químicas com HF/HCl. Isso reduz a frequência de substituição. Também reduz o custo total de propriedade da fábrica.


SIC coating composition parameter table

Especificações Técnicas

Parâmetro
Valor
Nome do produto
Anel superior SiC Epi de 8 polegadas
Material
Carbeto de Silício Sólido CVD (SiC)
Pureza
≥ 99,99995%
Densidade
~3,2g/cm³
Condutividade Térmica
~300 W/m·K
Expansão Térmica (CTE)
4,5–4,8 × 10⁻⁶ /°C
Temperatura máxima
>1500°C
Estrutura
Denso, sem poros
Tamanho
8 polegadas (personalizado disponível)
Superfície
Usinado com precisão


A uniformidade da espessura do revestimento entre lotes é controlada em 10um


Aplicações


O anel superior CVD SiC epi é amplamente utilizado em:

● Reatores de epitaxia de silício (Si Epi)

● Epitaxia de carboneto de silício (SiC Epi)

● Sistemas MOCVD

● Equipamento de deposição de CVD

Geralmente combinado com:

● Susceptores

● Portadores de wafer

● Pré-aquecer anéis

● Reatores epitaxiais


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Capacidade total de fabricação: 

Da purificação da matéria-prima à usinagem de precisão e revestimento CVD, a VETEK controla todo o processo de produção para garantir qualidade consistente de semicondutores.

Alta precisão: 

Usamos usinagem em nível de mícron. A espessura do CVD é muito uniforme. Isso faz com que cada anel funcione exatamente da mesma maneira.


Perguntas frequentes

(1) O que o anel superior do SiC epi faz?

O anel gerencia o fluxo de calor e gás. Isso garante que o filme fino cresça uniformemente no wafer.

(2) Por que o CVD SiC é melhor que o grafite?

A grafite é porosa. O grafite possui poros e libera gases. O CVD SiC sólido é denso e limpo. Dura muito mais tempo em ferramentas corrosivas.

(3).O anel superior SiC de 8 polegadas pode ser personalizado?

Sim. Construímos de acordo com os desenhos de sua ferramenta específica. Podemos ajustar a geometria com base no seu processo.

(4).Quais indústrias usam anéis de epitaxia de SiC?

Eles são usados ​​principalmente na fabricação de semicondutores, incluindo dispositivos de energia, dispositivos de RF e produção de wafers de SiC.



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