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Estrada Wangda, rua Ziyang, condado de Wuyi, cidade de Jinhua, província de Zhejiang, China
A VeTek Semiconductor é especializada na produção de produtos de revestimento de carboneto de silício ultrapuros. Esses revestimentos são projetados para serem aplicados em grafite purificado, cerâmica e componentes de metal refratário.
Nossos revestimentos de alta pureza são direcionados principalmente para uso nas indústrias de semicondutores e eletrônicos. Eles servem como uma camada protetora para transportadores de wafers, susceptores e elementos de aquecimento, protegendo-os de ambientes corrosivos e reativos encontrados em processos como MOCVD e EPI. Esses processos são essenciais para o processamento de wafers e fabricação de dispositivos. Além disso, nossos revestimentos são adequados para aplicações em fornos a vácuo e aquecimento de amostras, onde são encontrados ambientes de alto vácuo, reativos e de oxigênio.
Na VeTek Semiconductor, oferecemos uma solução abrangente com nossos recursos avançados de oficina mecânica. Isso nos permite fabricar os componentes básicos usando grafite, cerâmica ou metais refratários e aplicar os revestimentos cerâmicos SiC ou TaC internamente. Também fornecemos serviços de revestimento para peças fornecidas pelo cliente, garantindo flexibilidade para atender diversas necessidades.
Nossos produtos de revestimento de carboneto de silício são amplamente utilizados em epitaxia de Si, epitaxia de SiC, sistema MOCVD, processo RTP/RTA, processo de gravação, processo de gravação ICP/PSS, processo de vários tipos de LED, incluindo LED azul e verde, LED UV e UV profundo LED etc., que é adaptado a equipamentos LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI e assim por diante.
Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC | |
Propriedade | Valor típico |
Estrutura Cristalina | FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111) |
Densidade do revestimento SiC | 3,21g/cm³ |
Revestimento SiCDureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500g) |
Tamanho do grão | 2~10μm |
Pureza Química | 99,99995% |
Capacidade de calor | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de Sublimação | 2700°C |
Resistência Flexural | 415 MPa RT de 4 pontos |
Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Condutividade Térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Susceptor Epi revestido com carboneto de silício
Transportador de wafer de revestimento SiC
Cobertura de satélite revestida com SiC para MOCVD
Susceptor de Epi Wafer de revestimento CVD SiC
Elemento de aquecimento de revestimento CVD SiC
Porta-wafers Satélite Aixtron
Receptor Epi de revestimento SiC
Peças de grafite meia-lua com revestimento SiC
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