Bandeja de transportador de wafer

Você pode ter certeza de comprar bandeja de transportador de bolacas em nossa fábrica.

O vetek semicondutor fornece principalmente peças de grafite de revestimento CVD SiC, como a bandeja de transportador de wafer para o equipamento de semicondutores de terceira geração, e se dedica a fornecer equipamentos de produção avançados e competitivos para a indústria. O equipamento SIC-CVD é usado para o crescimento de camada epitaxial de filme fino de cristal único homogêneo no substrato de carboneto de silício, a folha epitaxial do SIC é usada principalmente para dispositivos de potência de fabricação, como diodo Schottky, IGBT, MOSFET e outros dispositivos eletrônicos.

O equipamento combina de perto o processo e o equipamento. O equipamento SIC-CVD tem vantagens óbvias na alta capacidade de produção, compatibilidade de 6/8 polegadas, custo competitivo, controle de crescimento automático contínuo para vários fornos, baixa taxa de defeitos, conveniência de manutenção e confiabilidade através do projeto do controle de campo de temperatura e controle de campo de fluxo. Combinada com a bandeja de transportador de bolacha revestida com SiC fornecida pelo nosso semicondutor vetek, ele pode melhorar a eficiência da produção do equipamento, prolongar a vida e controlar o custo.

A bandeja transportadora de wafer do semicondutor Vetek tem principalmente alta pureza, boa estabilidade de grafite, alta precisão de processamento, além de revestimento CVD SiC, estabilidade de alta temperatura: Os revestimentos de carboneto de silício têm excelente estabilidade de alta temperatura e protegem o substrato do calor e da corrosão química em ambientes de temperatura extremamente alta .

Dluende e resistência ao desgaste: os revestimentos de carbido de silício geralmente têm uma alta dureza, proporcionando excelente resistência ao desgaste e prolongando a vida útil do substrato.

Resistência à corrosão: O revestimento de carboneto de silício é resistente à corrosão por muitos produtos químicos e pode proteger o substrato contra danos por corrosão.

Coeficiente reduzido de atrito: os revestimentos de carboneto de silício geralmente têm um baixo coeficiente de atrito, o que pode reduzir as perdas de atrito e melhorar a eficiência de trabalho dos componentes.

Condutividade térmica: o revestimento de carboneto de silício geralmente possui boa condutividade térmica, o que pode ajudar o substrato a dispersar melhor o calor e melhorar o efeito de dissipação de calor dos componentes.

Em geral, o revestimento de carboneto de silício CVD pode fornecer proteção múltipla ao substrato, prolongar sua vida útil e melhorar seu desempenho.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Lojas de produção:

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores: