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Wafer epitaxial do MOCVD fornece
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Wafer epitaxial do MOCVD fornece

O vetek semicondutor está envolvido na indústria de crescimento epitaxial de semicondutores há muito tempo e possui ricas habilidades de experiência e processo em produtos suscetidos por wafer epitaxial de MOCVD. Hoje, o vetek semicondutor se tornou o principal fabricante e fornecedor de susceptores de wafer epitaxial da China, e os suscetores de wafer que ela oferece desempenharam um papel importante na fabricação de bolachas epitaxiais de GaN e outros produtos.

Susceptador de bolacha epitaxial do MOCVD é um susceptador de wafer epitaxial de alto desempenho projetado para equipamento de MOCVD (deposição de vapor químico orgânico metal-orgânico). O suscetador é feito de material de grafite SGL e revestido com revestimento de carboneto de silício, que combina a alta condutividade térmica da grafite com a excelente resistência à alta temperatura e corrosão do SIC e é adequada para o ambiente de trabalho severo de alta temperatura, alta pressão e gás corrosivo durante o crescimento epitaxial dos semicondutores.


O material de grafite SGL possui excelente condutividade térmica, o que garante que a temperatura da bolacha epitaxial seja distribuída uniformemente durante o processo de crescimento e melhora a qualidade da camada epitaxial. O revestimento SiC revestido permite que o susceptador suporta altas temperaturas superiores a 1600 ℃ e se adapte ao ambiente térmico extremo no processo de MOCVD. Além disso, o revestimento SiC pode resistir efetivamente a gases de reação de alta temperatura e corrosão química, prolongar a vida útil do Susceptor e reduzir a poluição.


O susceptador de wafer epitaxial MOCVD da Veteksemi pode ser usado como substituto para acessórios de fornecedores de equipamentos MOCVD, como a Aixtron.MOCVD Susceptor for Epitaxial Growth


● Tamanho: Pode ser personalizado de acordo com as necessidades do cliente (tamanho padrão disponível).

● Capacidade de transporte: Pode transportar múltiplas ou mais de 50 bolachas epitaxiais de cada vez (dependendo do tamanho do susceptador).

● Tratamento de superfície: Revestimento SiC, resistência à corrosão, resistência a oxidação.


É um acessório importante para uma variedade de equipamentos de crescimento epitaxial de wafer


● Indústria de semicondutores: Usado para o crescimento de bolachas epitaxiais, como LEDs, diodos a laser e semicondutores de potência.

● Indústria de optoeletrônica: Suporta o crescimento epitaxial de dispositivos optoeletrônicos de alta qualidade.

● Pesquisa e desenvolvimento de materiais de ponta: Aplicado à preparação epitaxial de novos semicondutores e materiais optoeletrônicos.


Dependendo do tipo de equipamento MOCVD do cliente e das necessidades de produção, o VetEk Semiconductor fornece serviços personalizados, incluindo tamanho do susceptador, material, tratamento de superfície etc., para garantir que a solução mais adequada seja fornecida aos clientes.


Estrutura cristalina de filme sic cvd

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade
Valor típico
Estrutura cristalina
Policristalina da fase β da FCC, principalmente (111) orientada
Densidade do revestimento SiC
3,21 g/cm³
Dureza do revestimento sic
2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Tamanho de grão
2 ~ 10mm
Pureza química
99,99995%
Capacidade de calor
640 J · kg-1· K-1
Temperatura da sublimação
2700 ℃
Força de flexão
415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade térmica
300W · m-1· K-1
Expansão térmica (CTE)
4,5 × 10-6K-1

É semicondutor MOCVD Epitaxial Wafer Susceptor Shops

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