Transportadora de bolacha revestida com sic

A fabricação de chips é inseparável das bolachas. No processo de preparação de wafer, existem dois links principais: um é a preparação do substrato e o outro é a implementação do processo epitaxial. O substrato pode ser colocado diretamente no processo de fabricação de wafer para produzir dispositivos semicondutores ou melhorar ainda mais através doProcesso epitaxial. 

Epitaxia é o crescimento de uma nova camada de cristal único em um substrato de cristal único que foi finamente processado (corte, retificação, polimento, etc.). Como a camada de cristal único recém-crescida se expandirá de acordo com a fase cristalina do substrato, ela é chamada de camada epitaxial. Quando a camada epitaxial cresce no substrato, o todo é chamado de wafer epitaxial. A introdução da tecnologia epitaxial resolve de forma inteligente muitos defeitos de substratos únicos.

No forno de crescimento epitaxial, o substrato não pode ser colocado aleatoriamente, e umPortador de waferé necessário colocar o substrato no suporte do wafer antes que a deposição epitaxial possa ser realizada no substrato. Este suporte de wafer é o suporte de wafer revestido de SiC.

Vista em corte transversal do reator EPI

Um produto de alta qualidadeRevestimento sicé aplicado à superfície do grafite SGL usando tecnologia CVD:

Com a ajuda do revestimento SiC, muitas propriedades deSuporte de bolacha revestida com SICforam significativamente melhorados:

●  Propriedades antioxidantes: O revestimento SiC possui boa resistência a oxidação e pode proteger a matriz de grafite da oxidação a altas temperaturas e prolongar sua vida útil.

●  Resistência a altas temperaturas: O ponto de fusão do revestimento SiC é muito alto (cerca de 2700 ° C). Depois de adicionar o revestimento SiC à matriz de grafite, ele pode suportar temperaturas mais altas, o que é benéfico para a aplicação no ambiente do forno de crescimento epitaxial.

● Resistência à corrosão: A grafite é propensa à corrosão química em certos ambientes ácidos ou alcalinos, enquanto o revestimento SiC tem boa resistência à corrosão ácida e alcalina, para que possa ser usada em fornos de crescimento epitaxial por um longo tempo.

● Resistência ao desgaste: O material SiC possui alta dureza. Depois que o grafite é revestido com SiC, ele não é facilmente danificado quando usado em um forno de crescimento epitaxial, reduzindo a taxa de desgaste do material.

A VeTek Semiconductor usa os melhores materiais e a mais avançada tecnologia de processamento para fornecer aos clientes produtos de transporte de wafer revestidos com SiC líderes do setor. A forte equipe técnica da VeTek Semiconductor está sempre comprometida em personalizar os produtos mais adequados e as melhores soluções de sistema para os clientes.

Dados SEM do filme CVD SIC

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