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Anéis de foco sólidos de SiC
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Anéis de foco sólidos de SiC

Projetado para cercar a zona de rastreamento do wafer, o Anel de Foco Sólido SiC garante distribuição linear de plasma e perfis de gravação exatos de ponta a ponta. Esses componentes β-SiC premium são construídos pela Vetek Semiconductor (Wuyi Tianyao New Material Technology Co., LTD) usando tecnologia proprietária de Deposição de Vapor Químico (CVD). Ao vaporizar as matérias-primas em uma matriz densa e sem aglutinantes, a Vetek elimina as microlacunas porosas comuns em materiais mais antigos. Em comparação com a blindagem padrão de quartzo ou silício, nossos componentes CVD SiC resistem muito melhor a gases halógenos corrosivos, protegendo o wafer em lógica sub-7nm profunda e fabricação densa de chips de memória.

1. Recursos do produto


● Pureza (GDMS verificado): > 99,99995% (até 6N-7N) | Mantém a câmara livre de riscos de vestígios de metais.

● Solidez Estrutural: ≥3,21  g/cm3 | Atinge densidade teórica; não deixa espaços vazios para liberação de gases ou micropartículas para esconder.

● Regulação Térmica: 200 - 300W/m·K | Distribui o calor rapidamente para manter as temperaturas da borda do wafer perfeitamente uniformes.

● Faixa Elétrica: 0,01 - 10 Ωcm | Resistividade adaptável para estabilizar a bainha de plasma e refinar a conexão RF. Rigidez superficial: ≥2500 HV | Resiste ao desgaste abrasivo durante ciclos contínuos de ataque a seco.

Solid SiC focus ring Manufacturing Processing



2. Aplicativos 


● Processo avançado de gravação a plasma

● Processos de deposição de filmes finos (PECVD/ALD)

● Os anéis de gravação sólidos de SiC são consumíveis essenciais na fabricação avançada de chips, usados ​​para garantir a uniformidade dos processos de borda de wafer, melhorar o rendimento e prolongar a vida útil dos componentes em processos de gravação e deposição de plasma.


3. Resolvendo vulnerabilidades Fab


● Problema: tempo de inatividade dispendioso devido à rápida erosão de peças

A correção: a estrutura desenvolvida por CVD da Vetek mostra um ritmo de erosão 10 a 20 vezes mais lento que o quartzo e 3 a 5 vezes mais lento que o silício a granel. As fábricas obtêm execuções de produção mais longas e muito menos aberturas de câmara de emergência.

● Problema: Colapso do rendimento de borda ("Efeito de borda")

A solução: O desgaste lento e previsível na face do anel impede que a bainha de plasma se incline com o tempo. Isso preserva os limites rígidos da Dimensão Crítica (CD) bem no perímetro do wafer.

● Problema: Picos de Defeitos devido à Queda de Peças Sinterizadas

A solução: Nossa síntese em fase gasosa deixa para trás zero ligantes de limite de grão ou cargas metálicas. Sem esses pontos fracos, o anel não descamará nem causará defeitos de micromascaramento na superfície do wafer.


4. Suporte de engenharia personalizado


● Integração de ferramenta drop-in: Usinada sob medida para atender às rigorosas especificações de espaçamento de marcas globais de gravadores como Lam, AMAT e TEL.

● Correspondência de resistividade: Ajustamos o perfil elétrico de cada lote para alinhá-lo perfeitamente com os parâmetros específicos da sua receita.

● Acabamentos Avançados: Emprega Planarização Químico-Mecânica (CMP) ultralimpa para suavizar superfícies ásperas, reduzindo a contagem de partículas durante o preparo inicial da ferramenta.

● Fatores de forma complexos: mantemos tolerâncias restritas (±0,01 mm) em anéis de borda complicados e com vários degraus e configurações de anéis interligados.


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