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Estrada Wangda, rua Ziyang, condado de Wuyi, cidade de Jinhua, província de Zhejiang, China
VeTek Semiconductor é seu parceiro inovador na área de processamento de semicondutores. Com nosso extenso portfólio de combinações de materiais de cerâmica de carboneto de silício de grau semicondutor, recursos de fabricação de componentes e serviços de engenharia de aplicação, podemos ajudá-lo a superar desafios significativos. As cerâmicas técnicas de engenharia de carboneto de silício são amplamente aplicadas na indústria de semicondutores devido ao seu excepcional desempenho de material. A cerâmica de carboneto de silício ultrapura da VeTek Semiconductor é frequentemente usada em todo o ciclo de fabricação e processamento de semicondutores.
A VeTek Semiconductor fornece componentes cerâmicos projetados especificamente para difusão em lote e requisitos de LPCVD, incluindo:
• Defletores e suportes
• Injetores
• Revestimentos e tubos de processo
• Pás cantilever de carboneto de silício
• Barcos wafer e pedestais
Remo Cantilever SiC
Tubos de Processo SiC
Tubo de processo de carboneto de silício
Barco wafer vertical SiC
Barco de wafer horizontal SiC
Barco de wafer quare horizontal SiC
Barco wafer SiC LPCVD
Barco de placa horizontal SiC
Anel de vedação de cerâmica SiC
Minimize a contaminação e a manutenção não programada com componentes de alta pureza projetados para os rigores do processamento de gravação a plasma, incluindo:
Anéis de foco
Bicos
Escudos
Chuveiros
Janelas / tampas
Outros componentes personalizados
A VeTek Semiconductor fornece componentes de materiais avançados adaptados para aplicações de processamento térmico de alta temperatura na indústria de semicondutores. Essas aplicações abrangem RTP, processos Epi, difusão, oxidação e recozimento. Nossas cerâmicas técnicas são projetadas para resistir a choques térmicos, proporcionando desempenho confiável e consistente. Com os componentes da VeTek Semiconductor, os fabricantes de semicondutores podem obter processamento térmico eficiente e de alta qualidade, contribuindo para o sucesso geral da produção de semicondutores.
• Difusores
• Isoladores
• Susceptores
• Outros componentes térmicos personalizados
Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado | |
Propriedade | Valor típico |
Temperatura de trabalho (°C) | 1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente) |
Conteúdo SiC/SiC | > 99,96% |
Conteúdo Si / Si grátis | <0,1% |
Densidade aparente | 2,60-2,70g/cm3 |
Porosidade aparente | <16% |
Força de compressão | > 600MPa |
Resistência à flexão a frio | 80-90MPa (20°C) |
Resistência à flexão a quente | 90-100MPa (1400°C) |
Expansão térmica @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Condutividade térmica @1200°C | 23 W/m·K |
Módulo elástico | 240 GPa |
Resistência ao choque térmico | Extremamente bom |
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