aquecedor de grafite de revestimento de cerâmica de carboneto de silício

É semicondutor Aquecedor de grafite de revestimento de cerâmica de carboneto de silícioCombina a excelente condutividade elétrica e térmica da grafite com a alta resistência à temperatura, resistência à corrosão e resistência ao desgaste do revestimento de cerâmica de carbono de silício e foi projetado para ambientes de fabricação de semicondutores severos. 

Aquecedor de grafite de revestimento de cerâmica de carboneto de silícioé usado principalmente em equipamentos de revestimento a vácuo (evaporação), e os métodos comumente usados ​​são PCD (secagem química plasmática) e PVD (deposição física de vapor). Este produto desempenhou um papel importante na promoção do progresso tecnológico e na melhoria da eficiência da produção na indústria de semicondutores.Sinceramente esperamos uma cooperação adicional com você.

As características materiais e estruturais do aquecedor de grafite de revestimento de cerâmica de carboneto de silício são as seguintes:

Substrato de grafite: A grafite é conhecida por sua alta condutividade térmica e baixo coeficiente de expansão térmica. Pode responder rapidamente às mudanças de temperatura e manter a estabilidade estrutural em altas temperaturas.

Revestimento de cerâmica carbono de silício: O revestimento SiC é uniformemente revestido na superfície da grafite através da deposição de vapor químico ou outros processos avançados. O SiC possui dureza extremamente alta e resistência à corrosão química, que pode proteger o substrato de grafite da oxidação de alta temperatura e ambientes corrosivos.

O projeto estrutural de produto especial do aquecedor de grafite de revestimento de cerâmica de carboneto de silício determinaAs vantagens insubstituíveis do produto deste produto no processo de processamento semicondutores:

Aquecimento eficiente e uniforme:

Condutividade térmica: A alta condutividade térmica da grafite permite que o aquecedor alcance e mantenha rapidamente a temperatura necessária, e o revestimento SiC garante a distribuição uniforme do calor. Isso é especialmente importante para os processos de semicondutores que requerem controle preciso da temperatura, como processamento térmico rápido (RTP) e deposição de vapor químico (CVD).

Uniformidade da temperatura: Através da distribuição uniforme de calor, o aquecedor de grafite de revestimento de cerâmica de carboneto de silício pode efetivamente reduzir o estresse térmico e o gradiente de temperatura, garantindo a consistência e a estabilidade da qualidade das bolachas de semicondutores durante todo o processo de aquecimento.

Proteção anticorrosão:

Resistência química: A resistência à corrosão química do revestimento SiC permite que o aquecedor opere de forma estável e por um longo tempo em ambientes de gás e química corrosivos, evitando danos ao substrato de grafite. Esse recurso é particularmente crítico em processos como deposição de vapor químico (DCV) e deposição de vapor químico aprimorado no plasma (PECVD).

Resistência a oxidação: Em altas temperaturas, o revestimento SiC pode impedir a oxidação do substrato de grafite, prolongar a vida útil do aquecedor e reduzir a frequência e o custo da manutenção do equipamento.

Reduza a contaminação das partículas:

Estabilidade da superfície: O revestimento SiC não é apenas resistente ao desgaste, mas também impede que as partículas caam na superfície do material devido a ciclismo térmico ou reações químicas, reduzindo assim o risco de contaminação por partículas que podem ocorrer durante a fabricação de semicondutores e garantir um ambiente de processo de alta limitação.

Melhorar a confiabilidade e eficiência do processo:

Design de longa duração: Devido à combinação da resistência mecânica da grafite e à resistência ao desgaste do revestimento SiC, o aquecedor de grafite de revestimento de cerâmica de carboneto de silício pode manter a operação de alta eficiência por um longo tempo em condições duras do processo, melhorando significativamente a confiabilidade geral do equipamento.

Utilização de energia eficiente: A alta condutividade térmica da grafite e a estabilidade de alta temperatura do revestimento SiC permitem que o aquecedor reduza o consumo de energia, melhorando a precisão do controle da temperatura, melhorando assim a eficiência geral da produção de semicondutores.

Propriedades físicas básicas deAquecedor de grafite de revestimento de cerâmica de carboneto de silício:

É semicondutorAquecedor de grafite de revestimento de cerâmica de carboneto de silíciolojas:

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:

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