Notícias

Na indústria de fabricação de semicondutores, à medida que o tamanho do dispositivo continua diminuindo, a tecnologia de deposição de materiais finos de cinema representou desafios sem precedentes. A deposição da camada atômica (ALD), como uma tecnologia de deposição de filmes finos que pode obter controle preciso no nível atômico, tornou -se uma parte indispensável da fabricação de semicondutores. Este artigo tem como objetivo introduzir o fluxo e os princípios do processo do ALD para ajudar a entender seu importante papel na fabricação avançada de chips.

É ideal construir circuitos integrados ou dispositivos semicondutores em uma camada de base cristalina perfeita. O processo de epitaxia (EPI) na fabricação de semicondutores visa depositar uma fina camada de cristalina, geralmente cerca de 0,5 a 20 mícrons, em um substrato único de cristalino. O processo de epitaxia é uma etapa importante na fabricação de dispositivos semicondutores, especialmente na fabricação de wafer de silício.

A principal diferença entre epitaxia e deposição da camada atômica (ALD) está nos mecanismos de crescimento do cinema e nas condições de operação. Epitaxia refere -se ao processo de cultivo de um filme fino cristalino em um substrato cristalino com uma relação de orientação específica, mantendo a mesma estrutura cristalina ou semelhante. Por outro lado, o ALD é uma técnica de deposição que envolve expor um substrato a diferentes precursores químicos em sequência para formar um filme fino, uma camada atômica por vez.

O revestimento CVD TAC é um processo para formar um revestimento denso e durável em um substrato (grafite). Este método envolve a deposição de TaC na superfície do substrato em altas temperaturas, resultando em um revestimento de carboneto de tântalo (TaC) com excelente estabilidade térmica e resistência química.

À medida que o processo de carboneto de silício de 8 polegadas (SiC) amadurece, os fabricantes estão acelerando a mudança de 6 polegadas para 8 polegadas. Recentemente, em Semiconductor e Resonac, anunciaram atualizações sobre a produção SIC de 8 polegadas.

Este artigo apresenta os mais recentes desenvolvimentos no recém-projetado reator CVD de parede quente PE1O8 da empresa italiana LPE e sua capacidade de realizar epitaxia 4H-SiC uniforme em SiC de 200 mm.