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Temos o prazer de compartilhar com você os resultados de nosso trabalho, novidades da empresa e fornecer desenvolvimentos oportunos e condições de nomeação e remoção de pessoal.
Qual é o gradiente de temperatura do campo térmico de um único forno de cristal?09 2024-09

Qual é o gradiente de temperatura do campo térmico de um único forno de cristal?

O artigo explica o gradiente de temperatura em um forno de cristal único. Ele abrange os campos de calor estático e dinâmico durante o crescimento do cristal, a interface sólida-líquido e o papel do gradiente de temperatura na solidificação.
Quão fino o processo de Taiko pode fazer bolachas de silício?04 2024-09

Quão fino o processo de Taiko pode fazer bolachas de silício?

O processo de Taiko divide as bolachas de silício usando seus princípios, vantagens técnicas e origens do processo.
Furno epitaxial SIC de 8 polegadas e pesquisa de processo homoepitaxial29 2024-08

Furno epitaxial SIC de 8 polegadas e pesquisa de processo homoepitaxial

Furno epitaxial SIC de 8 polegadas e pesquisa de processo homoepitaxial
Wafer de substrato semicondutor: propriedades materiais de silício, GaAs, SiC e GaN28 2024-08

Wafer de substrato semicondutor: propriedades materiais de silício, GaAs, SiC e GaN

O artigo analisa as propriedades do material de wafers de substrato semicondutor, como silício, GaAs, SiC e GaN
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