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O revestimento de carboneto de tântalo (TaC) pode prolongar significativamente a vida útil das peças de grafite, melhorando a resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão, propriedades mecânicas e capacidades de gerenciamento térmico. Suas características de alta pureza reduzem a contaminação por impurezas, melhoram a qualidade do crescimento do cristal e aumentam a eficiência energética. É adequado para fabricação de semicondutores e aplicações de crescimento de cristais em ambientes de alta temperatura e altamente corrosivos.

Os revestimentos de tantalum (TAC) são amplamente utilizados no campo de semicondutores, principalmente para componentes do reator de crescimento epitaxial, componentes-chave de crescimento de cristal único, componentes industriais de alta temperatura, resistência ao sistema MOCVD e portadores de resistência ao sistema de alta temperatura.

Durante o processo de crescimento epitaxial do SiC, pode ocorrer falha na suspensão de grafite revestida com SiC. Este artigo conduz uma análise rigorosa do fenômeno de falha da suspensão de grafite revestida com SiC, que inclui principalmente dois fatores: falha do gás epitaxial de SiC e falha do revestimento de SiC.

Este artigo discute principalmente as respectivas vantagens e diferenças do processo de Epitaxia por Feixe Molecular e tecnologias de deposição de vapor químico metal-orgânico.

O carboneto de tântalo poroso da VeTek Semiconductor, como uma nova geração de material de crescimento de cristal de SiC, tem muitas propriedades de produto excelentes e desempenha um papel fundamental em uma variedade de tecnologias de processamento de semicondutores.

O princípio de trabalho do forno epitaxial é depositar materiais semicondutores em um substrato sob alta temperatura e alta pressão. O crescimento epitaxial do silício é cultivar uma camada de cristal com a mesma orientação do cristal que o substrato e a espessura diferente em um substrato de cristal único de silício com uma certa orientação do cristal. Este artigo apresenta principalmente os métodos de crescimento epitaxial do silício: epitaxia da fase de vapor e epitaxia da fase líquida.