Protetor de revestimento CVD SiC

Posicionamento do produto e funções principais:

O protetor de revestimento CVD SiC é um componente -chave no equipamento epitaxial de carboneto de silício LPE, usado principalmente para proteger a estrutura interna da câmara de reação e melhorar a estabilidade do processo. Suas funções principais incluem:

Proteção à corrosão: o revestimento de carboneto de silício formado pelo processo de deposição de vapor químico (DCV) pode resistir à corrosão química do plasma de cloro/fluorina e é adequado para ambientes agressivos, como equipamentos de gravação;

Gerenciamento térmico: a alta condutividade térmica do material de carboneto de silício pode otimizar a uniformidade da temperatura na câmara de reação e melhorar a qualidade da camada epitaxial;

Reduzindo a poluição: como um componente de revestimento, pode impedir que os subprodutos da reação entrem em contato diretamente com a câmara e estendam o ciclo de manutenção do equipamento.

Características e projeto técnicos:

Projeto estrutural:

Geralmente dividido em partes superior e inferior de meia-lua, instaladas simetricamente ao redor da bandeja para formar uma estrutura protetora em forma de anel;

Cooperando com componentes como bandejas e chuveiros de gás para otimizar a distribuição do fluxo de ar e os efeitos de foco de plasma.

Processo de revestimento:

O método CVD é usado para depositar revestimentos SIC de alta pureza, com uma uniformidade da espessura do filme em ± 5% e uma rugosidade da superfície tão baixa quanto Ra≤0,5μm;

A espessura típica do revestimento é de 100-300μm e pode suportar um ambiente de alta temperatura de 1600 ℃.

Cenários de aplicação e vantagens de desempenho:

Equipamento aplicável:

Usado principalmente para o forno epitaxial de carboneto de silício de 8 polegadas de 6 polegadas do LPE, apoiando o crescimento homoepitaxial da SIC;

Adequado para equipamentos de gravação, equipamentos de MOCVD e outros cenários que requerem alta resistência à corrosão.

Indicadores -chave:

Coeficiente de expansão térmica: 4,5 × 10⁻⁶/k (correspondendo ao substrato de grafite para reduzir a tensão térmica);

Resistividade: 0,1-10Ω · cm (atendendo aos requisitos de condutividade);

Vida de serviço: 3-5 vezes mais que os materiais tradicionais de quartzo/silício.

Barreiras e desafios técnicos

Este produto precisa superar dificuldades do processo, como o controle de uniformidade de revestimento (como compensação da espessura da borda) e a otimização de ligação de interface de revestimento de substrato (≥30MPa) e, ao mesmo tempo, precisa corresponder à rotação de alta velocidade (1000 rpm) e aos requisitos de gradiente de temperatura do equipamento LPE.