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Susceptor de grafite revestido de SiC CVD para transportador de wafer
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Susceptor de grafite revestido de SiC CVD para transportador de wafer

O susceptor de grafite revestido com SiC VETEK CVD para transportador de wafer é um componente de suporte de wafer de alto desempenho projetado para processos de epitaxia de semicondutores. O produto usa grafite de alta pureza como substrato e é revestido com uma camada uniforme de carboneto de silício (SiC) CVD, proporcionando excelente estabilidade térmica, resistência química e controle de partículas. Como um componente susceptor de grafite crítico, ele suporta diretamente os wafers dentro da câmara de reação e ajuda a manter a distribuição uniforme da temperatura e condições estáveis ​​de crescimento epitaxial.

1. Vantagens do produto


  • Material de alta pureza:O material de grafite de grau semicondutor e a estrutura densa de revestimento de SiC minimizam os riscos de contaminação e melhoram a confiabilidade do susceptor de grafite revestido de SiC CVD.
  • Excelente uniformidade térmica:A estrutura otimizada de grafite e o revestimento de SiC proporcionam transferência de calor estável e controle uniforme da temperatura do wafer.
  • Resistência Química Superior:O denso revestimento de SiC oferece forte resistência contra gases de processo e ambientes corrosivos.
  • Longa vida útil:A alta dureza e a resistência ao desgaste melhoram a durabilidade sob condições de epitaxia de alta temperatura.
  • Baixa geração de partículas:A densa superfície CVD SiC reduz a liberação de partículas e melhora a confiabilidade do processo de wafer.
  • Capacidade de design personalizado:Disponível em diversos tamanhos, estruturas e configurações de acordo com as necessidades do equipamento.



2. Especificações Técnicas

Item
Valor típico
Material de substrato
Grafite de alta pureza
Material de revestimento
Carbeto de Silício CVD (SiC)
Pureza do SiC
≥99,999%
Espessura do revestimento
100 ± 20 μm (personalizável)
Uniformidade da espessura do revestimento
Controlado dentro de 10 μm entre lotes
Densidade do revestimento CVD SiC
3,21g/cm³
Condutividade Térmica
300 W/m·K
Coeficiente de Expansão Térmica
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Aplicações


  • Processo de Epitaxia SiC:O susceptor de grafite é usado como transportador de wafer em equipamentos de epitaxia de SiC, suportando substratos de SiC durante o crescimento epitaxial em alta temperatura.
  • Processo de Epitaxia de Silício:Aplicado em reatores epitaxiais de silício para suporte de wafers e manutenção de condições térmicas estáveis.
  • Epitaxia MOCVD:Os susceptores de grafite VETEK são adequados para MOCVD, epitaxia de LED, epitaxia de GaN, epitaxia de silício e outros processos de fabricação de semicondutores que exigem excelente uniformidade térmica e estabilidade química.
  • Equipamento de fabricação de semicondutores:Compatível com várias plataformas de epitaxia, incluindo fornos horizontais LPE, Aixtron, NuFlare e equipamentos semicondutores relacionados.



4. Por que escolher a VETEK?

A VETEK fornece soluções personalizadas de susceptores de grafite revestidos com SiC CVD, integrando purificação de grafite, usinagem de precisão, revestimento CVD e recursos de inspeção. Nossos produtos susceptores de grafite de grau semicondutor apresentam alta pureza, espessura de revestimento uniforme, excelente desempenho térmico e longa vida útil para aplicações exigentes de transportadores de wafer.

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