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Pá cantilever de carboneto de silício (SiC)
  • Pá cantilever de carboneto de silício (SiC)Pá cantilever de carboneto de silício (SiC)

Pá cantilever de carboneto de silício (SiC)

O papel da remos cantilever de carboneto de silício (SIC) na indústria de semicondutores é apoiar e transportar bolachas. Em processos de alta temperatura, como difusão e oxidação, o SiC Cantilever Paddle pode transportar de forma estável barcos e bolachas sem deformação ou dano devido à alta temperatura, garantindo o progresso suave do processo. Tornar a difusão, a oxidação e outros processos mais uniformes é crucial para melhorar a consistência e o rendimento do processamento de bolas. O vetek semicondutor usa a tecnologia avançada para construir a remo de cantilever sic com carboneto de silício de alta pureza para garantir que as bolachas não sejam contaminadas. O vetek semicondutor espera cooperação de longo prazo com você em produtos cantilever de carboneto de silício (sic).

A pá cantilever de carboneto de silício (SiC) é um componente-chave indispensável no processo de processamento de wafer. É principalmente uma parte do sistema de transporte de wafers. Ele assume a importante tarefa de carregar e transportar wafers em equipamentos como fornos de difusão de oxidação de alta temperatura, garantindo a concentricidade do wafer e do tubo do forno e melhorando a consistência e o rendimento do processamento do wafer.


O SIC Cantilever Paddle tem um excelente desempenho de alta temperatura: em ambiente de alta temperatura de até 1600 ℃, o SiC Cantilever Paddle ainda pode manter alta resistência e estabilidade, não se deformam, danos e outros problemas e podem trabalhar de forma estável por um longo tempo.


A pá cantilever de carboneto de silício é feita de material SiC de alta pureza e nenhuma partícula cairá durante o processamento do wafer, evitando a contaminação da superfície do wafer. O material de carboneto de silício possui alta resistência à flexão e pode suportar maior estresse ao transportar mais wafers e não é propenso a quebras, garantindo a segurança e estabilidade do processo de transmissão do wafer. A excelente estabilidade química do SiC ajuda a pá cantilever de SiC a resistir à corrosão de vários produtos químicos e gases, evita que impurezas contaminem o wafer devido à corrosão do material e prolonga a vida útil do produto.


SiC Cantilever Paddle working diagram

Diagrama de trabalho do SiC Cantilever Paddle


Especificações do produto


● Vários tamanhos: Fornecemos remos cantilever de carboneto de silício (SIC) de vários tamanhos para atender às necessidades de diferentes tipos de equipamentos de semicondutores e processamento de bolas de wafer de diferentes tamanhos.


●  Atendimento personalizado: Além de produtos com especificações padrão, também podemos criar soluções exclusivas para clientes de acordo com suas necessidades especiais, como tamanho específico, formato, capacidade de carga, etc.


●  Design de moldagem de uma peça: Geralmente é fabricado usando um processo de moldagem de peça única, incluindo a seção de conexão, seção de transição e seção de rolamento. As peças estão firmemente conectadas e possuem forte integridade, o que melhora efetivamente a resistência estrutural e a estabilidade do produto e reduz o risco de falha causada por peças de conexão fraca.


●  Estrutura reforçada: Alguns produtos são equipados com estruturas de reforço em peças-chave, como a seção de transição, como placa inferior, placa de pressão, biela, etc., o que aumenta ainda mais a resistência da conexão entre a seção de transição e a seção de conexão e a seção de rolamento , melhora a confiabilidade da pá cantilever SiC de alta pureza ao transportar o wafer e evita problemas como fratura na área de transição.


●  Design de área de rolamento especial: O projeto da área de rolamento considera totalmente a colocação e a transferência de calor do wafer. Alguns produtos são equipados com ranhuras em forma de U, furos longos, furos retangulares e outras estruturas na área do rolamento, o que não só reduz o peso da própria área do rolamento, mas também reduz a área de contato com o wafer para evitar o bloqueio do calor. Ao mesmo tempo, também pode garantir a estabilidade do wafer durante a transmissão e evitar que ele caia.


Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado:

Propriedade
Valor típico
Temperatura de trabalho (° C)
1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente)
Conteúdo sic
> 99,96%
Conteúdo Si grátis
<0,1%
Densidade aparente
2,60-2,70g/cm3
Porosidade aparente
<16%
Porosidade aparente
> 600 MPa
Força de flexão fria
80-90MPa (20°C)
Força de flexão quente
90-100 MPa (1400 ° C)
Expansão térmica @1500°C
4,70 10-6/° C.
Condutividade térmica @1200°C
23 w/m • k
Módulo elástico
240 GPA
Resistência ao choque térmico
Extremamente bom


Durante o processo de produção, cada pá cantilever de carboneto de silício (SiC) deve passar por rigorosas inspeções de qualidade, incluindo inspeção de precisão dimensional, inspeção de aparência, testes de propriedades físicas, testes de estabilidade química, etc., para garantir que o produto atenda a altos padrões de qualidade e possa atender os requisitos estritos do processamento de wafers semicondutores.


A VeTek Semiconductor oferece uma gama completa de serviços pós-venda. Se os clientes encontrarem algum problema durante o uso, a equipe profissional de pós-venda responderá em tempo hábil e fornecerá aos clientes soluções rápidas e eficazes para garantir que a produção dos clientes não seja afetada.



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