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Pá cantilever de carboneto de silício para processamento de wafer
  • Pá cantilever de carboneto de silício para processamento de waferPá cantilever de carboneto de silício para processamento de wafer

Pá cantilever de carboneto de silício para processamento de wafer

A pá cantilever de carboneto de silício da Veteksemicon foi projetada para processamento avançado de wafer na fabricação de semicondutores. Feito de SiC de alta pureza, oferece excelente estabilidade térmica, resistência mecânica superior e excelente resistência a altas temperaturas e ambientes corrosivos. Esses recursos garantem manuseio preciso do wafer, vida útil prolongada e desempenho confiável em processos como MOCVD, epitaxia e difusão. Bem-vindo a consultar.

Informações gerais do produto

Local de Origem:
China
Marca:
Meu rival
Número do modelo:
Pás SiC-01
Certificação:
ISO9001


Termos comerciais do produto

Quantidade mínima de pedido:
Sujeito a negociação
Preço:
Contato para cotação personalizada
Detalhes da embalagem:
Pacote de exportação padrão
Prazo de entrega:
Prazo de entrega: 30-45 dias após a confirmação do pedido
Condições de pagamento:
T/T
Capacidade de fornecimento:
500 unidades/mês


Aplicativo: As pás de SiC da Veteksemicon são componentes-chave na fabricação avançada de semicondutores, projetadas para processos essenciais, como epitaxia de dispositivos de energia de SiC, recozimento em alta temperatura e oxidação de porta para chips à base de silício.


Serviços que podem ser prestados: análise de cenário de aplicação do cliente, correspondência de materiais, solução de problemas técnicos.


Perfil de companhia:A Veteksemicon possui 2 laboratórios, uma equipe de especialistas com 20 anos de experiência em materiais, com P&D e capacidade de produção, teste e verificação.


As pás Veteksemicon SiC são componentes principais de suporte de carga projetados especificamente para processos de alta temperatura na fabricação de semicondutores e chips de carboneto de silício. Fabricadas com precisão a partir de carboneto de silício de alta pureza e alta densidade, nossas pás demonstram estabilidade térmica excepcional e contaminação metálica extremamente baixa em ambientes agressivos superiores a 1200°C. Eles garantem efetivamente um transporte suave e limpo de wafers durante processos críticos como difusão e oxidação, servindo como uma base confiável para melhorar o rendimento do processo e o desempenho do equipamento.


Parâmetros Técnicos

Projeto
Parâmetro
Materiais Principais
SiC / CVD SiC ligado por reação de alta pureza
Temperatura máxima de operação
1600°C (em atmosfera inerte ou oxidante)
Conteúdo de impurezas metálicas
< 50 ppm (graus de pureza mais baixos disponíveis mediante solicitação)
densidade
≥ 3,02 g/cm³
Força de flexão
≥ 350 MPa
Coeficiente de expansão térmica
4,5×10-6/K (20-1000°C)
Tratamento de superfície
Moagem de alta precisão, acabamento superficial pode atingir Ra 0,4μm ou menos


Principais vantagens do Veteksemi SiC Paddles


 ● Pureza máxima, protegendo o rendimento dos cavacos

Utilizamos processos avançados para produzir matérias-primas de carboneto de silício, garantindo o mínimo de impurezas metálicas. As pás Veteksemi SiC suprimem efetivamente a precipitação de impurezas em ambientes de alta temperatura por longos períodos, evitando a contaminação de wafers sensíveis e garantindo uma produção de alto rendimento a partir da fonte.


● Excelente resistência ao calor para enfrentar desafios extremos

O próprio carboneto de silício possui propriedades de resistência a altas temperaturas que superam a maioria dos materiais cerâmicos. Nossas pás podem suportar facilmente temperaturas de processo de até 1600°C, têm um coeficiente de expansão térmica extremamente baixo e exibem excepcional resistência ao choque térmico durante repetidos ciclos rápidos de aquecimento e resfriamento, minimizando o risco de deformação e rachaduras e prolongando a vida útil.


● Resistência mecânica extraordinária para garantir uma transmissão estável

Com altíssima rigidez e dureza, mantém excelente estabilidade morfológica mesmo quando totalmente carregado com wafers. Isso garante o alinhamento preciso dos wafers durante a transferência automatizada, permitindo que entrem e saiam suavemente do forno, reduzindo o risco de quebra devido a vibração ou desvio.


● Excelente resistência à corrosão, vida útil prolongada

As pás VetekSemicon SiC exibem forte inércia química na presença de atmosferas corrosivas, como oxigênio e hidrogênio, comumente encontradas em processos de oxidação e difusão, com taxas de erosão superficial extremamente baixas. Isso garante dimensões e desempenho estáveis ​​durante o uso a longo prazo, reduzindo significativamente o custo geral de propriedade.


Principais campos de aplicação

Direção da aplicação
Cenário típico
Fabricação de dispositivos de energia de carboneto de silício
Epitaxia SiC, implantação iônica de alta temperatura e recozimento
Semicondutores de terceira geração
Pré-tratamento MOCVD e recozimento de GaN-on-Si e outros materiais
Dispositivos discretos
Processo de difusão de alta temperatura para IGBT, MOSFET, etc.

Endosso de verificação de cadeia ecológica

A verificação da cadeia ecológica das pás Veteksemicon SiC abrange matérias-primas até a produção, passou pela certificação de padrão internacional e possui uma série de tecnologias patenteadas para garantir sua confiabilidade e sustentabilidade nos campos de semicondutores e novas energias.


Para especificações técnicas detalhadas, white papers ou arranjos de testes de amostra, entre em contato com nossa equipe de suporte técnico para explorar como a Veteksemicon pode melhorar a eficiência do seu processo.


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