Centro de coletor de revestimento sic

O centro de coletores de revestimento SiC semicondutores de vetek desempenha um papel importante na produção do processo EPI de semiconducor. É um dos principais componentes usados ​​para distribuição e controle de gás em uma câmara de reação epitaxial.Revestimento siceRevestimento TACem nossa fábrica.

O papel do centro de coletores de revestimento SiC é o seguinte:

● Distribuição de gás: O centro de coletores de revestimento SiC é usado para introduzir diferentes gases na câmara de reação epitaxial. Possui várias entradas e pontos de venda que podem distribuir diferentes gases para os locais desejados para atender às necessidades específicas de crescimento epitaxial.

● Gás de controle: O Centro de Coletores do Coate SiC atinge o controle preciso de cada gás através de válvulas e dispositivos de controle de fluxo. Esse controle preciso do gás é essencial para o sucesso do processo de crescimento epitaxial para atingir a concentração e a taxa de fluxo desejadas, garantindo a qualidade e a consistência do filme.

● Uniformidade: O design e o layout do anel de coleta de gás central ajudam a obter uma distribuição uniforme de gás. Através do caminho razoável do fluxo de gás e do modo de distribuição, o gás é uniformemente misturado na câmara de reação epitaxial, de modo a obter um crescimento uniforme do filme.

Na fabricação de produtos epitaxiais, o Centro de Coletores de Companhamento SiC desempenha um papel fundamental na qualidade, espessura e uniformidade do filme. Através de distribuição e controle adequados de gás, o centro de coletor de revestimento SiC pode garantir a estabilidade e a consistência doProcesso de crescimento epitaxial, para obter filmes epitaxiais de alta qualidade.

Comparado ao centro de coletor de grafite, o centro de coletor revestido com SiC é uma condutividade térmica aprimorada, aprimoramento da inércia química e resistência superior à corrosão. O revestimento de carboneto de silício aumenta significativamente a capacidade de gerenciamento térmico do material de grafite, levando a uma melhor uniformidade da temperatura e crescimento consistente do filme em processos epitaxiais. Além disso, o revestimento fornece uma camada de proteção que resiste à corrosão química, estendendo a vida útil dos componentes de grafite. No geral, orevestido de carboneto de silícioO material de grafite oferece condutividade térmica superior, inércia química e resistência à corrosão, garantindo maior estabilidade e crescimento de filmes de alta qualidade nos processos epitaxiais.

Estrutura cristalina de filme CVD SIC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC

É semicondutorCentro de coletor de revestimento sicLoja de produção