Sic cantilever remos

Visão geral do uso do produto

As pás do SiC Cantilever são usadas principalmente em equipamentos de produção de semicondutores como suporte de suporte e componentes de transmissão. Sua função principal é processar as bolachas de silício de maneira estável e com precisão sob condições extremas de processo, como alta temperatura e alta corrosão, garantindo um processo de produção suave e eficiente.

Ⅱ. Vantagens e características dos materiais SiC

O SIC é um material cerâmico avançado cujas excelentes propriedades físicas oferecem uma vantagem incomparável no campo semicondutor. A seguir, são apresentados os principais parâmetros físicos relacionados às remos do SiC Cantilever:

● Alta pureza: O uso do material SiC de alta pureza pode minimizar a contaminação do processo e melhorar o rendimento do produto.

● Excelente resistência à alta temperatura: O SIC possui um ponto de fusão de até 2830 ° C, o que permite manter a integridade estrutural em ambientes de temperatura extrema, como gravura plasmática e recozimento de alta temperatura, e a temperatura de operação a longo prazo pode atingir mais de 1000 ° C.

● Alta dureza e resistência ao desgaste: A dureza Mohs é 9-9,5, perdendo apenas o diamante, dando aos remos SiC cantilever excelente resistência ao desgaste e mantendo a estabilidade dimensional durante a transmissão de wafer de alta frequência.

● Excelente condutividade térmica: A condutividade térmica da cerâmica do SiC é de 120-250 W/(M · K) (valor típico), que pode dissipar rapidamente o calor e evitar superaquecimento local que possa danificar a bolacha.

● Baixo coeficiente de expansão térmica: O baixo coeficiente de expansão térmica (cerca de 4,0 × 10⁻⁶ /k) garante a estabilidade dimensional quando a temperatura muda, evita o estresse causado pela expansão e contração térmica e, portanto, reduz o risco de dano a wafer.

Ⅲ. Cenários de aplicação de sic cantilever pushles

As propriedades exclusivas das pás do SiC Cantilever permitem que eles desempenhem um papel fundamental em vários links da fabricação de semicondutores:

● Equipamento de gravura de plasma: Na câmara de gravura de plasma, os remos do cantilever sic servem como suportes de bolacha, que podem suportar o bombardeio de plasma e a erosão de gás corrosivo, mantendo a estabilidade dimensional, garantindo a precisão da gravura e prolongando a vida útil do equipamento.

● Equipamento de deposição de filme fino (CVD/PVD): No processo de deposição de vapor químico (DCV) e deposição física de vapor (PVD), os remos do cantilever SiC são usados ​​para apoiar as bolachas. Sua excelente resistência à alta temperatura e condutividade térmica ajudam a aquecer uniformemente as bolachas e impedir a contaminação das partículas geradas durante o processo de deposição de filmes finos.

● Sistema de transferência de wafer: No sistema automatizado de transferência de wafer, as pás do SiC Cantilever podem suportar o movimento mecânico de alta frequência devido à sua alta dureza e resistência ao desgaste, garantindo uma transferência precisa e rápida de bolachas entre diferentes câmaras de processo, reduzindo o risco de danos e contaminação de wafer.

● Processo de recozimento de alta temperatura: No forno de recozimento de alta temperatura, as pás do SiC Cantilever podem suportar ambientes de temperatura ultra-alta, fornecer suporte estável para as bolachas e garantir a uniformidade e a eficácia do processo de recozimento.

O veteksemicon está bem ciente dos requisitos rigorosos dos processos de semicondutores para a qualidade do produto. Portanto, apoiamos serviços personalizados e podemos fornecer design e produção personalizados de paddle sic cantilever, de acordo com seus requisitos específicos de equipamentos e processos. E também controlaremos o controle rigoroso da qualidade para garantir que cada produto sofra inspeções estritas de qualidade para garantir que atenda aos mais altos padrões do setor.

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