Tecnologia MOCVD

A VeTek Semiconductor tem vantagem e experiência em peças de reposição da tecnologia MOCVD.

MOCVD, o nome completo de Deposição de Vapor Químico Metal-Orgânico (Deposição de Vapor Químico Metal-Orgânico), também pode ser chamada de epitaxia em fase de vapor metal-orgânica. Compostos Organometálicos são uma classe de compostos com ligações metal-carbono. Esses compostos contêm pelo menos uma ligação química entre um metal e um átomo de carbono. Compostos metal-orgânicos são frequentemente usados ​​como precursores e podem formar filmes finos ou nanoestruturas no substrato através de diversas técnicas de deposição.

A deposição de vapor químico metal-orgânico (tecnologia MOCVD) é uma tecnologia comum de crescimento epitaxial. A tecnologia MOCVD é amplamente utilizada na fabricação de lasers e leds semicondutores. Especialmente na fabricação de LEDs, o MOCVD é uma tecnologia chave para a produção de nitreto de gálio (GaN) e materiais relacionados.

Existem duas formas principais de Epitaxia: Epitaxia em Fase Líquida (LPE) e Epitaxia em Fase Vapor (VPE). A epitaxia em fase gasosa pode ser dividida em deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD) e epitaxia por feixe molecular (MBE).

Os fabricantes estrangeiros de equipamentos são representados principalmente pela Aixtron e Veeco. O sistema MOCVD é um dos principais equipamentos para fabricação de lasers, leds, componentes fotoelétricos, energia, dispositivos de RF e células solares.

Principais características das peças de reposição com tecnologia MOCVD fabricadas por nossa empresa:

1) Alta densidade e encapsulamento completo: a base de grafite como um todo está em um ambiente de trabalho corrosivo e de alta temperatura, a superfície deve ser totalmente envolvida e o revestimento deve ter boa densificação para desempenhar um bom papel protetor.

2) Boa planicidade superficial: Como a base de grafite usada para crescimento de monocristais requer uma planicidade superficial muito alta, a planicidade original da base deve ser mantida após a preparação do revestimento, ou seja, a camada de revestimento deve ser uniforme.

3) Boa resistência de ligação: Reduz a diferença no coeficiente de expansão térmica entre a base de grafite e o material de revestimento, o que pode efetivamente melhorar a resistência de ligação entre os dois, e o revestimento não é fácil de quebrar após experimentar calor de alta e baixa temperatura ciclo.

4) Alta condutividade térmica: o crescimento de cavacos de alta qualidade requer que a base de grafite forneça calor rápido e uniforme, portanto, o material de revestimento deve ter uma alta condutividade térmica.

5) Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão: o revestimento deve ser capaz de funcionar de forma estável em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

Coloque substrato de 4 polegadas
Epitaxia azul esverdeada para cultivo de LED
Alojado na câmara de reação
Contato direto com o wafer Coloque substrato de 4 polegadas
Usado para cultivar filme epitaxial UV LED
Alojado na câmara de reação
Contato direto com o wafer Máquina Veeco K868/Veeco K700
Epitaxia de LED branco/epitaxia de LED azul esverdeado Usado em equipamentos VEECO
Para epitaxia MOCVD
Susceptor de revestimento SiC Equipamento Aixtron TS
Epitaxia Ultravioleta Profunda
Substrato de 2 polegadas Veeco Equipamentos
Epitaxia LED Vermelho-Amarelo
Substrato de wafer de 4 polegadas Susceptor revestido de TaC
(Receptor LED SiC Epi/UV) Susceptor revestido de SiC
(Susceptor ALD/ Si Epi/ LED MOCVD)