Susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD

O susceptor de grafite revestido com SiC da VeTek Semiconductor para MOCVD é um transportador de grafite revestido com SiC de alta pureza, projetado especificamente para o crescimento da camada epitaxial em chips wafer. Como componente central no processamento MOCVD, normalmente em forma de engrenagem ou anel, possui excepcional resistência ao calor e à corrosão, garantindo estabilidade em ambientes extremos.

Principais recursos do susceptor de grafite revestido com SiC MOCVD:

● Coating resistente a flocos: Garante cobertura uniforme de revestimento SiC em todas as superfícies, reduzindo o risco de descolamento de partículas

● Excelente resistência de oxidação de alta temperaturace: Permanece estável em temperaturas de até 1600°C

●   Alta Pureza: Fabricado através de deposição de vapor químico CVD, adequado para condições de cloração de alta temperatura

● Resistência superior à corrosão: Altamente resistente a ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos

●   Padrão de fluxo de ar laminar otimizado: Melhora a uniformidade da dinâmica do fluxo de ar

● Distribuição térmica uniforme: Garante uma distribuição estável de calor durante processos de alta temperatura

●   Prevenção de contaminação: Impede a difusão de contaminantes ou impurezas, garantindo a limpeza do wafer

Na VeTek Semiconductor, aderimos a rígidos padrões de qualidade, entregando produtos e serviços confiáveis ​​aos nossos clientes. Selecionamos apenas materiais premium, nos esforçando para atender e superar os requisitos de desempenho da indústria. Nosso susceptor de grafite revestido com SiC para MOCVD exemplifica esse compromisso com a qualidade. Entre em contato conosco para saber mais sobre como podemos atender às suas necessidades de processamento de wafers semicondutores.

ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME CVD SIC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

É semicondutor MOCVD Assim suporte de grafite revestido;