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Anel de grafite de alta pureza

Anel de grafite de alta pureza

O anel de grafite de alta pureza é adequado para os processos de crescimento epitaxial de GaN. Sua excelente estabilidade e desempenho superior os tornaram amplamente utilizados. O vetek semicondutor produz e fabrica anel de grafite de alta pureza líder mundial para ajudar a indústria de epitaxia GaN a continuar a progredir. Veteksemi espera se tornar seu parceiro na China.


Simple diagram of GaN epitaxial growthO processo deGan epitaxialO crescimento é realizado em um ambiente corrosivo de alta temperatura. A zona quente do forno de crescimento epitaxial da GaN geralmente é equipado com peças de grafite de alta pureza resistentes ao calor e resistente à corrosão, como aquecedores, cadinhos, eletrodos de grafite, suportes cadinhos, porcas de eletrodo, etc. O selo de anel de grafite é uma das partes importantes.


O anel de grafite de alta pureza do vetek semicondutor é feito de grafite pura com pureza extremamente alta, e o teor de cinzas do produto acabado pode ser <5ppm.

E os anéis de grafite têm as características de resistência à alta temperatura e resistência à corrosão, boa condutividade elétrica e térmica, estabilidade química e resistência ao choque térmico, tornando -os adequados para uso em fornos de crescimento epitaxial de GaN.


Os anéis de grafite de alta pureza do vetek semicondutor são feitos da grafite da mais alta qualidade, com desempenho estável e vida útil longa. Se você precisar executar o crescimento epitaxial de GaN, nossos anéis de grafite de alta pureza são a melhor opção de peças de grafite.


O vetek semicondutor pode fornecer aos clientes produtos altamente personalizados, seja o tamanho ou o material do anel, pode atender aos vários requisitos dos clientes. Estamos aguardando sua consulta a qualquer momento.


Dados de material da grafite SGL 6510


Propriedades típicas
Unidades
Padrões de teste
Valores
Tamanho médio de grão
μm
ISO 13320
10
Densidade a granel
g/cm3
Da IEC 60413/204
1.83
Porosidade aberta
Vol.%
De 66133
10
Diâmetro de entrada de poros médios
μm
De 66133
1.8
Coeficiente de permeabilidade (temperatura ambiente)
cm2/s
De 51935
0.06
Rockwell dureza hr5/100
 \ Da IEC 60413/303
90
Resistividade
μωm
Da IEC 60413/402
13
Força de flexão
MPA
Da IEC 60413/501
60
Força de compressão
MPA
De 51910
130
Módulo dinâmico de elasticidade
MPA
De 51915
11,5 x 103
Expansão térmica (20-200 ℃)
K-1
De 51909
4.2x10-6
Condutividade térmica(20 ℃)
Wm-1K-1
De 51908
105
Conteúdo de cinzas
ppm
De 51903
\

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