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Gan Epitaxial Undertaker
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Gan Epitaxial Undertaker

Como fornecedor e fabricante de susceptores epitaxiais da GaN na China, o Susceptor epitaxial do semicondutor vetek é um suscettor de alta precisão projetado para o processo de crescimento epitaxial de GaN, usado para suportar equipamentos epitaxiais, como CVD e MOCVD. Na fabricação de dispositivos GaN (como dispositivos eletrônicos de potência, dispositivos de RF, LEDs etc.), o susceptador epitaxial de GaN carrega o substrato e atinge a deposição de alta qualidade de filmes finos de GaN em ambiente de alta temperatura. Dê boas -vindas à sua pergunta adicional.

O susceptador epitaxial de GaN foi projetado para o processo de crescimento epitaxial de nitreto de gálio (GaN) e é adequado para tecnologias epitaxiais avançadas, como deposição de vapor químico de alta temperatura (DCV) e deposição de vapor químico orgânico de metal (MOCVD). O susceptador é feito de materiais resistentes a alta pureza e alta temperatura para garantir uma excelente estabilidade em ambientes de alta temperatura e múltiplos a gás, atendendo aos requisitos de processo exigentes de dispositivos avançados de semicondutores, dispositivos de RF e campos LED.



Além disso, o Susceptador Epitaxial do VETEK SEMICONDUCOR tem os seguintes recursos do produto:


● Composição do material

Graphite de alta pureza: a grafite SGL é usada como substrato, com desempenho excelente e estável.

Revestimento de carboneto de silício: Fornece condutividade térmica extremamente alta, forte resistência a oxidação e resistência à corrosão química, adequadas para as necessidades de crescimento dos dispositivos GaN de alta potência. Ele mostra excelente durabilidade e vida útil longa em ambientes agressivos, como CVD e MOCVD de alta temperatura, o que pode reduzir significativamente os custos de produção e a frequência de manutenção.


● Personalização

Tamanho personalizado: o vetek semicondutor suporta serviço personalizado de acordo com as necessidades do cliente, o tamanho doempresárioe o orifício da wafer pode ser personalizado.


● Faixa de temperatura operacional

O susceptador epitaxial veteksemi gan pode suportar temperaturas de até 1200 ° C, garantindo uniformidade e estabilidade de alta temperatura.


● Equipamento aplicável

Nosso susceptador de Gan Epi é compatível com o mainstreamEquipamento MOCVDcomo Aixtron, Veeco, etc., adequado para alta precisãoProcesso epitaxial de Gan.


A Veteksemi sempre se comprometeu a fornecer aos clientes os produtos Susceptores mais adequados e excelentes e excelentes de Gan Epitaxial e espera se tornar seu parceiro de longo prazo. O vetek semicondutor fornece produtos e serviços profissionais para ajudá -lo a obter maiores resultados no setor de epitaxia.


Estrutura cristalina de filme sic cvd


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade
Valor típico
Estrutura cristalina
Policristalina da fase β da FCC, principalmente (111) orientada
Densidade do revestimento SiC
3,21 g/cm³
Dureza do revestimento sic
2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Tamanho de grão
2 ~ 10mm
Pureza química
99,99995%
Capacidade de calor
640 J · kg-1· K-1
Temperatura da sublimação
2700 ℃
Força de flexão
415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade térmica
300W · m-1· K-1
Expansão térmica (CTE)
4,5 × 10-6K-1

É semicondutorGan Epitaxial Suscept Products Shops


Graphite substrateGaN epitaxial susceptor testSilicon carbide ceramic processingSemiconductor process equipment

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