CVD TAC revestido de três petais anel

O material de substrato de cristal único de carboneto de silício é um tipo de material de cristal, que pertence ao material semicondutor de bandagem ampla. Possui vantagens de resistência de alta tensão, resistência a alta temperatura, alta frequência, baixa perda etc. É um material básico para a preparação de dispositivos eletrônicos de alta potência e dispositivos de radiofrequência de microondas. Atualmente, os principais métodos para o crescimento dos cristais SiC são o transporte físico de vapor (método PVT), deposição de vapor químico de alta temperatura (método HTCVD), método de fase líquida, etc.

O método de transporte de vapor físico (PVT) é uma técnica bem estabelecida, altamente adequada para produção industrial em grande escala. Nesse processo, um cristal de semente de SiC é posicionado na parte superior do cadinho, enquanto o pó de SiC, servindo como matéria -prima, é colocado no fundo do cadinho. Sob as condições de alta temperatura e baixa pressão dentro de um ambiente fechado, o SiC em pó sublimata. Impulsionados pelo gradiente de temperatura e diferença de concentração, as espécies sublimadas se movem para cima em direção à região perto do cristal de sementes. Uma vez atingindo um estado supersaturado, ocorre a recristalização, permitindo controle preciso sobre o tamanho e o tipo de cristal específico dos cristais SiC cultivados.

O CVD TAC revestiu o anel de três - guia de pétalas serve múltiplas funções cruciais. Principalmente, aumenta a mecânica do fluido, orientando o fluxo de gás, garantindo que a área de crescimento de cristais seja exposta a uma atmosfera uniforme. Além disso, dissipa efetivamente o calor durante o processo de crescimento do cristal SiC. Ao manter o gradiente de temperatura apropriado, ele otimiza as condições de crescimento para os cristais SiC e atenua o risco de defeitos de cristal causados ​​pela distribuição desigual da temperatura.