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Anel com revestimento de forno vertical
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Anel com revestimento de forno vertical

O anel revestido do forno vertical é um componente especialmente projetado para o forno vertical. O vetek semicondutor pode fazer o melhor para você em termos de materiais e processos de fabricação. Como fabricante líder e fornecedor do anel revestido de forno vertical na China, o Vetek Semiconductor está confiante de que podemos fornecer os melhores produtos e serviços.

Nos fornos verticais, o uso de anéis revestidos com SiC é uma solução comum, usada principalmente em processos de tratamento térmico de alta temperatura debolachas semicondutoras. Os anéis revestidos de SiC de forno vertical são componentes de alto desempenho e resistentes a altas temperaturas usados ​​para suportar ou proteger wafers para garantir a estabilidade e confiabilidade do processo.


As funções do anel revestido de SiC do forno vertical

● Funções

Papel de apoio. Usado para apoiar as bolachas para garantir sua estabilidade e posição precisa em fornos de alta temperatura.

●  Proteção contra corrosão

Evite que gases corrosivos ou produtos químicos corroam o material de base.

●  Reduzir a poluição

O revestimento SiC de alta pureza pode efetivamente impedir o derramamento de partículas e a contaminação por impureza para garantir a limpeza do processo.

●  Resistência a altas temperaturas

Mantém excelentes propriedades mecânicas e estabilidade dimensional em ambientes de alta temperatura (geralmente acima de 1000°C).


As características do anel revestido de SiC do forno vertical

●  Alta dureza e resistência

Os materiais de SiC têm excelente resistência mecânica e podem suportar tensões de alta temperatura no forno.

●  Boa estabilidade térmica

A alta condutividade térmica e o baixo coeficiente de expansão térmica do SiC ajudam a reduzir o estresse térmico.

●  Forte estabilidade química

Os revestimentos do SIC podem resistir à corrosão em ambientes oxidantes, ácidos ou alcalinos.

●  Baixo contaminação por partículas

A superfície lisa reduz a possibilidade de geração de partículas, o que é particularmente adequado para o ambiente ultralimpo da fabricação de semicondutores.


Utilizado para difusão, oxidação, recozimento e outros processos em fornos verticais para suportar as bolachas de silício e impedir a contaminação por partículas durante o tratamento térmico.


Materiais e processos de fabricação

● Substrato: feita de grafite SGL de alta qualidade, a qualidade é garantida.

●  Revestimento: O revestimento de carboneto de silício é aplicado à superfície de grafite por deposição química de vapor (CVD).

● A espessura do revestimento é geralmente entre 50 ~ 500μm, que é ajustada de acordo com os requisitos de uso.

●  O revestimento de SiC por deposição química de vapor tem maior pureza e densidade, além de melhor durabilidade.


Selecione o apropriadoRevestimento de SiCanel de acordo com o diâmetro da pastilha de silício no forno e as especificações do transportador. Podemos personalizá-lo para você. O revestimento denso e de alta pureza é mais durável e menos poluente. Substitua regularmente de acordo com a frequência de uso e os requisitos do processo para evitar contaminação ou falha de suporte devido ao envelhecimento do revestimento.


Como fornecedor e fabricante profissional de anel revestido com forno vertical SIC na China, o Vetek Semiconductor está comprometido há muito tempo em fornecer tecnologia avançada de tecnologia de forno vertical e soluções de produtos para a indústria de semicondutores. Sinceramente, esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.


ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade
Valor típico
Estrutura Cristalina
Policristalina da fase β da FCC, principalmente (111) orientada
Densidade do revestimento SiC
3,21g/cm³
Dureza do revestimento sic
2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Tamanho do grão
2 ~ 10mm
Pureza Química
99,99995%
Capacidade de calor
640 J · kg-1· K-1
Temperatura de sublimação
2700°C
Força de flexão
415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade Térmica
300W·m-1· K-1
Expansão térmica (CTE)
4,5×10-6K-1

É semicondutorLojas de anéis revestidos com SiC para forno vertical:

Semiconductor EquipmentGraphite epitaxial substrateSiC coated ring assemblySemiconductor process equipment

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