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Estrada Wangda, rua Ziyang, condado de Wuyi, cidade de Jinhua, província de Zhejiang, China
Os revestimentos de metal duro exclusivos da VeTek Semiconductor fornecem proteção superior para peças de grafite no Processo SiC Epitaxy para o processamento de materiais semicondutores e semicondutores compósitos exigentes. O resultado é uma vida útil prolongada do componente de grafite, preservação da estequiometria da reação, inibição da migração de impurezas para aplicações de epitaxia e crescimento de cristais, resultando em maior rendimento e qualidade.
Nossos revestimentos de carboneto de tântalo (TaC) protegem componentes críticos de fornos e reatores em altas temperaturas (até 2.200°C) contra amônia quente, hidrogênio, vapores de silício e metais fundidos. A VeTek Semiconductor possui uma ampla gama de recursos de processamento e medição de grafite para atender às suas necessidades personalizadas, para que possamos oferecer um revestimento pago ou serviço completo, com nossa equipe de engenheiros especializados prontos para projetar a solução certa para você e sua aplicação específica. .
A VeTek Semiconductor pode fornecer revestimentos TaC especiais para vários componentes e transportadores. Através do processo de revestimento líder da indústria da VeTek Semiconductor, o revestimento TaC pode obter alta pureza, estabilidade em alta temperatura e alta resistência química, melhorando assim a qualidade do produto das camadas cristal TaC/GaN) e EPl, e estendendo a vida útil dos componentes críticos do reator.
Componentes de crescimento de cristais SiC, GaN e AlN, incluindo cadinhos, porta-sementes, defletores e filtros. Conjuntos industriais, incluindo elementos de aquecimento resistivos, bicos, anéis de proteção e acessórios de brasagem, componentes de reatores CVD epitaxiais de GaN e SiC, incluindo transportadores de wafer, bandejas de satélite, chuveiros, tampas e pedestais, componentes MOCVD.
● Transportador de wafer LED (diodo emissor de luz)
● Receptor ALD (semicondutor)
● Receptor EPI (Processo Epitaxia SiC)
Susceptor epitaxial SiC planetário com revestimento CVD TaC
Anel revestido de TaC para reator epitaxial de SiC
Anel de três pétalas revestido com TaC
Peça de meia lua revestida de carboneto de tântalo para LPE
SiC | TaC | |
Principais recursos | Pureza ultra alta, excelente resistência ao plasma | Excelente estabilidade em altas temperaturas (conformidade do processo em altas temperaturas) |
Pureza | >99,9999% | >99,9999% |
Densidade (g/cm3) | 3.21 | 15 |
Dureza (kg/mm2) | 2900-3300 | 6,7-7,2 |
Resistividade [Ωcm] | 0,1-15.000 | <1 |
Condutividade térmica (W/m-K) | 200-360 | 22 |
Coeficiente de expansão térmica(10-6/℃) | 4,5-5 | 6.3 |
Aplicativo | Gabarito cerâmico de equipamento semicondutor (anel de foco, cabeça de chuveiro, wafer fictício) | Crescimento de cristal único SiC, Epi, peças de equipamentos LED UV |
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