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Assim revestido com aulas de epi
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Assim revestido com aulas de epi

Como principal fabricante nacional de revestimentos de carboneto de silício e carboneto de tântalo, a VeTek Semiconductor é capaz de fornecer usinagem de precisão e revestimento uniforme de Epi Susceptor revestido com SiC, controlando efetivamente a pureza do revestimento e do produto abaixo de 5 ppm. A vida útil do produto é comparável à do SGL. Bem-vindo para nos perguntar.

Você pode ter certeza de comprar susceptores de EPI revestidos com SIC de nossa fábrica.


VETEK SEMICONDUCOR SIC EPI Susceptor é um barril epitaxial é uma ferramenta especial para o processo de crescimento epitaxial de semicondutores com muitas vantagens:


LPE SI EPI Susceptor Set

● Capacidade de produção eficiente: O susceptador de EPI com revestimento de SiC do VETEK SEMICONDUCTOR pode acomodar várias bolachas, possibilitando o crescimento epitaxial de várias bolachas simultaneamente. Essa capacidade de produção eficiente pode melhorar bastante a eficiência da produção e reduzir os ciclos e custos de produção.

● Controle de temperatura otimizado: O Epi Susceptor revestido com SiC está equipado com um sistema avançado de controle de temperatura para controlar e manter com precisão a temperatura de crescimento desejada. O controle estável da temperatura ajuda a alcançar o crescimento uniforme da camada epitaxial e a melhorar a qualidade e a consistência da camada epitaxial.

● Distribuição de atmosfera uniforme: O Epi Susceptor revestido com SiC fornece uma distribuição uniforme da atmosfera durante o crescimento, garantindo que cada wafer seja exposto às mesmas condições atmosféricas. Isto ajuda a evitar diferenças de crescimento entre os wafers e melhora a uniformidade da camada epitaxial.

● Controle eficaz de impurezas: O design do susceptador de EPI revestido com SiC ajuda a reduzir a introdução e difusão de impurezas. Pode fornecer um bom controle de vedação e atmosfera, reduzir o impacto das impurezas na qualidade da camada epitaxial e, assim, melhorar o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

● Desenvolvimento flexível de processos: O Epi Susceptor possui recursos flexíveis de desenvolvimento de processos que permitem rápido ajuste e otimização dos parâmetros de crescimento. Isso permite que pesquisadores e engenheiros conduzam rápido desenvolvimento e otimização de processos para atender às necessidades de crescimento epitaxial de diferentes aplicações e requisitos.


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura Cristalina Policristalina da fase β da FCC, principalmente (111) orientada
Densidade do revestimento SiC 3,21 g/cm³
Dureza do revestimento sic cvd sic Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho de grão 2 ~ 10mm
Pureza Química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J·kg-1· K-1
Temperatura de sublimação 2700°C
Força de flexão 415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade Térmica 300W·m-1· K-1
Expansão Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1


Semicondutor VeTekReceptor Epi revestido com SiCLoja de produção

VeTek Semiconductor SiC Coated Epi Susceptor Production Shop

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


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