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Lpe sic epi mei -lua
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Lpe sic epi mei -lua

O LPE SIC EPI Halfmoon é um design especial para o forno de epitaxia horizonacional, um produto revolucionário projetado para elevar os processos de epitaxia do reator de LPE. Esta solução de ponta possui vários recursos importantes que garantem desempenho e eficiência superiores ao longo de suas operações de fabricação. O semicondutor de vetek é profissional na fabricação da meia-lua de Epi em 6 polegadas e 8 polegadas.

Como fabricante e fornecedor profissional de LPE SiC Epi Halfmoon, a VeTek Semiconductor gostaria de fornecer LPE SiC Epi Halfmoon de alta qualidade.


LPE SiC Epi Halfmoon da VeTek Semiconductor, um produto revolucionário projetado para elevar os processos de epitaxia SiC do reator LPE. Esta solução de ponta possui vários recursos importantes que garantem desempenho e eficiência superiores em todas as suas operações de fabricação.


A meia-lua LPE SIC EPI oferece precisão e precisão excepcionais, garantindo crescimento uniforme e camadas epitaxiais de alta qualidade. Suas técnicas inovadoras de design e fabricação avançada fornecem suporte ideal para wafer e gerenciamento térmico, fornecendo resultados consistentes e minimizando defeitos. Além disso, a meia -lua LPE SIC EPI é revestida com uma camada de carboneto de tântalo (TAC) premium, aumentando seu desempenho e durabilidade. Esse revestimento TAC melhora significativamente a condutividade térmica, a resistência química e a resistência ao desgaste, salvaguardando o produto e estendendo sua vida útil.


A integração do revestimento TAC na meia -lua LPE SIC EPI traz melhorias significativas para o seu fluxo de processo. Aumenta o gerenciamento térmico, garantindo a dissipação de calor eficiente e mantendo uma temperatura de crescimento estável. Essa melhoria leva a uma maior estabilidade do processo, tensão térmica reduzida e melhor rendimento geral. Além disso, o revestimento TaC minimiza a contaminação do material, permitindo um ambiente mais limpo e mais processo de epitaxia controlado. Atua como uma barreira contra reações indesejadas e impurezas, resultando em camadas epitaxiais de maior pureza e melhor desempenho do dispositivo.


Escolha LPE SiC Epi Halfmoon da VeTek Semiconductor para processos de epitaxia incomparáveis. Experimente os benefícios de seu design avançado, precisão e poder transformador doRevestimento TaCao otimizar suas operações de fabricação. Eleve seu desempenho e obtenha resultados excepcionais com a solução líder do setor do Vetek Semiconductor.


Parâmetro do produto da meia -lua LPE SIC EPI

Propriedades físicas do revestimento TAC
Densidade de revestimento 14,3 (g/cm³)
Emissividade específica 0.3
Coeficiente de expansão térmica 6,3*10-6/K
Dureza do revestimento TaC (HK) 2.000 Hong Kong
Resistência 1x10-5Ohm*cm
Estabilidade térmica <2500 ℃
Mudanças de tamanho de grafite -10 ~ -20um
Espessura do revestimento ≥20um valor típico (35um ± 10um)


Compare o semicondutor LPE SIC EPI Halfmoon Production Shop

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Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


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