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Pó de carboneto de silício (SiC) de alta pureza

Pó de carboneto de silício (SiC) de alta pureza

O pó de carboneto de silício (SiC) de alta pureza VeTek Semiconductor é especialmente desenvolvido para crescimento de cristais de SiC, materiais semicondutores e aplicações cerâmicas avançadas. Através de tecnologia de purificação avançada e controle de qualidade rigoroso, nosso pó de SiC oferece níveis de impurezas ultrabaixos, distribuição estável de partículas e excelente consistência para processos de fabricação exigentes.

Principais recursos
• A pureza pode ir até 99,9999% — isso é 6N

• As impurezas metálicas são mantidas baixas

• Os dados do teste GDMS estão disponíveis mediante solicitação

• O comportamento da sublimação permanece consistente de lote para lote

• Menor risco de contaminação durante o processamento

• A distribuição do tamanho das partículas é controlada

• Você também pode solicitar tamanhos de partículas personalizados

• O controle de qualidade segue padrões de nível de semicondutores


Faixa de tamanho de partícula:



Pureza do pó: 

Especificações técnicas:

Propriedade
Valor típico
Material
Carboneto de Silício (SiC)
Pureza
99,99% – 99,9999%
Grau de Pureza
4N – 6N+
Tipo Cristal
α-SiC
Tamanho de partícula
Personalizado
Teste
GDMS disponível

Aplicativos

• Crescimento de cristal único de SiC (PVT)

• Substratos de SiC condutores e semi-isolantes

• Materiais Semicondutores

• Cerâmica Avançada

• Pesquisa e Desenvolvimento


Por que escolher o semicondutor VeTek?

• Tecnologia de purificação avançada

• Controle de qualidade de nível semicondutor

• Opções personalizadas de tamanho de partícula

• Fornecimento estável e confiável

• Suporte técnico para aplicações de crescimento de cristais




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