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Numa era de rápido desenvolvimento tecnológico, a impressão 3D, como importante representante da tecnologia de produção avançada, está gradualmente a mudar a face da produção tradicional. Com a maturidade contínua da tecnologia e a redução de custos, a tecnologia de impressão 3D mostrou amplas perspectivas de aplicação em muitos campos, como aeroespacial, fabricação de automóveis, equipamentos médicos e design arquitetônico, e promoveu a inovação e o desenvolvimento dessas indústrias.

Os materiais monocristalinos por si só não podem atender às necessidades da crescente produção de vários dispositivos semicondutores. No final de 1959, foi desenvolvida uma fina camada de tecnologia de crescimento de material de cristal único - crescimento epitaxial.

O carboneto de silício é um dos materiais ideais para fabricar dispositivos de alta temperatura, alta frequência, de alta potência e de alta tensão. Para melhorar a eficiência da produção e reduzir os custos, a preparação de substratos de carboneto de silício de tamanho grande é uma importante direção de desenvolvimento.

De acordo com o Overseas News, duas fontes revelaram em 24 de junho que a Bytedance está trabalhando com a empresa de design de chips da US Broadcom para desenvolver um processador de computação avançado de inteligência artificial (AI), o que ajudará a garantir um suprimento adequado de chips de ponta em meio a tensões entre a China e os Estados Unidos.

Como fabricante líder na indústria da SIC, a dinâmica relacionada à Sanan Optoelectronics recebeu ampla atenção no setor. Recentemente, a Sanan Optoelectronics divulgou uma série de desenvolvimentos mais recentes, envolvendo transformação de 8 polegadas, nova produção de fábrica de substratos, estabelecimento de novas empresas, subsídios governamentais e outros aspectos.

No crescimento de monocristais de SiC e AlN usando o método de transporte físico de vapor (PVT), componentes cruciais como o cadinho, o porta-sementes e o anel guia desempenham um papel vital. Conforme ilustrado na Figura 2 [1], durante o processo PVT, o cristal semente é posicionado na região de temperatura mais baixa, enquanto a matéria-prima SiC é exposta a temperaturas mais altas (acima de 2.400 ℃).