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Receita de Deposição de Camada Atômica ALD27 2024-07

Receita de Deposição de Camada Atômica ALD

ALD espacial, deposição de camada atômica espacialmente isolada. A bolacha move-se entre diferentes posições e é exposta a diferentes precursores em cada posição. A figura abaixo é uma comparação entre ALD tradicional e ALD espacialmente isolada.
Tecnologia de carboneto Tantalum Avanço, poluição epitaxial do SiC reduzida em 75%?27 2024-07

Tecnologia de carboneto Tantalum Avanço, poluição epitaxial do SiC reduzida em 75%?

Recentemente, o Instituto de Pesquisa Alemão Fraunhofer IISB fez um avanço na pesquisa e desenvolvimento da tecnologia de revestimento de carboneto de tântalo e desenvolveu uma solução de revestimento de pulverização mais flexível e ambientalmente amigável que a solução de deposição de CVD e foi comercializada.
Aplicação exploratória da tecnologia de impressão 3D na indústria de semicondutores19 2024-07

Aplicação exploratória da tecnologia de impressão 3D na indústria de semicondutores

Numa era de rápido desenvolvimento tecnológico, a impressão 3D, como importante representante da tecnologia de produção avançada, está gradualmente a mudar a face da produção tradicional. Com a maturidade contínua da tecnologia e a redução de custos, a tecnologia de impressão 3D mostrou amplas perspectivas de aplicação em muitos campos, como aeroespacial, fabricação de automóveis, equipamentos médicos e design arquitetônico, e promoveu a inovação e o desenvolvimento dessas indústrias.
Tecnologia de preparação para epitaxia de silício (SI)16 2024-07

Tecnologia de preparação para epitaxia de silício (SI)

Os materiais monocristalinos por si só não podem atender às necessidades da crescente produção de vários dispositivos semicondutores. No final de 1959, foi desenvolvida uma fina camada de tecnologia de crescimento de material de cristal único - crescimento epitaxial.
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