Bico de revestimento CVD SiC

VeTek Semiconductor é um fabricante especializado de acessórios de revestimento CVD SiC para dispositivos epitaxiais, como peças de meia lua de revestimento CVD SiC e seus acessórios bicos de revestimento CVD SiC.

PE1O8 é um sistema totalmente automático de cartuchos para cartuchos projetado para lidar comBolachas de SiCaté 200 mm. O formato pode ser alterado entre 150 e 200 mm, minimizando o tempo de inatividade da ferramenta. A redução dos estágios de aquecimento aumenta a produtividade, enquanto a automação reduz o trabalho e melhora a qualidade e a repetibilidade. Para garantir um processo de epitaxia eficiente e competitivo em custos, três fatores principais são relatados: 

● Processo rápido;

● Alta uniformidade de espessura e dopagem;

●  minimização da formação de defeitos durante o processo de epitaxia. 

No PE1O8, a pequena massa de grafite e o sistema automático de carga/descarga permitem que uma execução padrão seja concluída em menos de 75 minutos (a formulação padrão de diodo Schottky padrão de 10μm usa uma taxa de crescimento de 30μm/h). O sistema automático permite carregar/descarregar em altas temperaturas. Como resultado, os tempos de aquecimento e resfriamento são curtos, enquanto a etapa de cozimento foi inibida. Essa condição ideal permite o crescimento de materiais verdadeiros não doados.

No processo de epitaxia de carboneto de silício, os bocais de revestimento CVD SiC desempenham um papel crucial no crescimento e na qualidade das camadas epitaxiais. Aqui está a explicação expandida do papel dos bicos emEpitaxia de carboneto de silício:

● Fornecimento e controle de gás: Bicos são usados ​​para fornecer a mistura de gases necessária durante a epitaxia, incluindo gás fonte de silício e gás fonte de carbono. Através dos bicos, o fluxo e as proporções do gás podem ser controlados com precisão para garantir o crescimento uniforme da camada epitaxial e a composição química desejada.

● Controle de temperatura: Os bicos também ajudam no controle da temperatura dentro do reator epitaxia. Na epitaxia de carboneto de silício, a temperatura é um fator crítico que afeta a taxa de crescimento e a qualidade do cristal. Ao fornecer calor ou gás de resfriamento através dos bicos, a temperatura de crescimento da camada epitaxial pode ser ajustada para condições ideais de crescimento.

● Distribuição de Fluxo de Gás: O design dos bicos influencia a distribuição uniforme do gás dentro do reator. A distribuição uniforme do fluxo de gás garante a uniformidade da camada epitaxial e espessura consistente, evitando problemas relacionados à não uniformidade da qualidade do material.

● Prevenção de contaminação por impureza: O design e o uso adequados dos bocais podem ajudar a prevenir a contaminação por impureza durante o processo de epitaxia. O design adequado do bico minimiza a probabilidade de impurezas externas que entram no reator, garantindo a pureza e a qualidade da camada epitaxial.

Estrutura de cristal de filme de revestimento SiC CVD SIC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC: