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Pasta de polimento CMP
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Pasta de polimento CMP

A pasta de polimento CMP (pasta de polimento químico-mecânico) é um material de alto desempenho usado na fabricação de semicondutores e processamento de materiais de precisão. Sua função principal é obter planicidade fina e polimento da superfície do material sob o efeito sinérgico da corrosão química e retificação mecânica para atender aos requisitos de planicidade e qualidade da superfície no nível nano. Aguardamos sua consulta adicional.

A pasta de polimento CMP da Veteksemicon é usada principalmente como abrasivo de polimento na pasta de polimento químico-mecânico CMP para planar materiais semicondutores. Tem as seguintes vantagens:

Diâmetro de partícula e grau de agregação de partículas livremente ajustáveis;
As partículas são monodispersas e a distribuição do tamanho das partículas é uniforme;
O sistema de dispersão é estável;
A escala de produção em massa é grande e a diferença entre os lotes é pequena;
Não é fácil condensar e resolver.


Indicadores de desempenho para produtos da série de pureza ultra-alta

Parâmetro
Unidade
Indicadores de desempenho para produtos da série de pureza ultra-alta

UPXY-1
UPXY-2
UPXY-3
UPXY-4
UPXY-5
UPXY-6
UPXY-7
Tamanho Médio de Partícula de Sílica
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
Distribuição de tamanho de nanopartículas (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
PH da solução
1 7,2-7,4
7,2-7,4
7,2-7,4
7,2-7,4
7,2-7,4
7,2-7,4
7,2-7,4
Conteúdo Sólido
% 20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
Aparência
--
Azul claro
Azul
Branco
Off white
Off white
Off white
Off white
Morfologia de Partículas X
X : S- esférico ; B- Curvo ; P- Em forma de amendoim ; T- Bulboso ; C- Semelhante a uma corrente (estado agregado)
Estabilizando Íons
Aminas Orgânicas/Inorgânicas
Composição da Matéria Prima Y
Y:M-TMOS;E-TEOS;ME-TMOS+TEOS;EM-TEOS+TMOS
Conteúdo de impurezas metálicas
≤ 300 ppb


Especificações de desempenho para produtos da série de alta pureza

Parâmetro
Unidade
Especificações de desempenho para produtos da série de alta pureza
WGXY-1Z WGXY-2Z
WGXY-3Z
WGXY-4Z
WGXY-5Z
WGXY-6Z
WGXY-7Z
Tamanho Médio de Partícula de Sílica
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
Distribuição de tamanho de nanopartículas (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
PH da solução
1 90,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
Conteúdo Sólido
% 30-40 30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
Aparência
--
Azul claro
Azul
Branco
Off white
Off white
Off white
Off white
Morfologia de Partículas X
X : S- esférico ; B- Curvo ; P- Em forma de amendoim ; T- Bulboso ; C- Semelhante a uma corrente (estado agregado)
Estabilizando Íons
M:Amina orgânica;K:Hidróxido de potássio;N:Hidróxido de sódio;ou outros componentes
Conteúdo de impurezas metálicas
Z:Série de alta pureza (Série H≤1ppm;Série L≤10ppm);Série padrão (Série M ≤300ppm)

Aplicações de produtos de pasta de polimento CMP:


● Materiais ILD de circuito integrado CMP

● Materiais Poly-Si de circuito integrado CMP

● Materiais semicondutores de wafer de silício de cristal único CMP

● Materiais semicondutores de carboneto de silício CMP

● Materiais STI de circuito integrado CMP

● Materiais de metal de circuito integrado e camada de barreira metálica CMP


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