Produtos
Pasta de polimento CMP
  • Pasta de polimento CMPPasta de polimento CMP

Pasta de polimento CMP

A pasta de polimento CMP (pasta de polimento químico-mecânico) é um material de alto desempenho usado na fabricação de semicondutores e processamento de materiais de precisão. Sua função principal é obter planicidade fina e polimento da superfície do material sob o efeito sinérgico da corrosão química e retificação mecânica para atender aos requisitos de planicidade e qualidade da superfície no nível nano. Aguardamos sua consulta adicional.

A pasta de polimento CMP da Veteksemicon é usada principalmente como abrasivo de polimento na pasta de polimento químico-mecânico CMP para planar materiais semicondutores. Tem as seguintes vantagens:

Diâmetro de partícula e grau de agregação de partículas livremente ajustáveis;
As partículas são monodispersas e a distribuição do tamanho das partículas é uniforme;
O sistema de dispersão é estável;
A escala de produção em massa é grande e a diferença entre os lotes é pequena;
Não é fácil condensar e resolver.


Indicadores de desempenho para produtos da série de pureza ultra-alta

Parâmetro
Unidade
Indicadores de desempenho para produtos da série de pureza ultra-alta

UPXY-1
UPXY-2
UPXY-3
UPXY-4
UPXY-5
UPXY-6
UPXY-7
Tamanho Médio de Partícula de Sílica
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
Distribuição de tamanho de nanopartículas (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
PH da solução
1 7,2-7,4
7,2-7,4
7,2-7,4
7,2-7,4
7,2-7,4
7,2-7,4
7,2-7,4
Conteúdo Sólido
% 20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
Aparência
--
Azul claro
Azul
Branco
Off white
Off white
Off white
Off white
Morfologia de Partículas X
X : S- esférico ; B- Curvo ; P- Em forma de amendoim ; T- Bulboso ; C- Semelhante a uma corrente (estado agregado)
Estabilizando Íons
Aminas Orgânicas/Inorgânicas
Composição da Matéria Prima Y
Y:M-TMOS;E-TEOS;ME-TMOS+TEOS;EM-TEOS+TMOS
Conteúdo de impurezas metálicas
≤ 300 ppb


Especificações de desempenho para produtos da série de alta pureza

Parâmetro
Unidade
Especificações de desempenho para produtos da série de alta pureza
WGXY-1Z WGXY-2Z
WGXY-3Z
WGXY-4Z
WGXY-5Z
WGXY-6Z
WGXY-7Z
Tamanho Médio de Partícula de Sílica
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
Distribuição de tamanho de nanopartículas (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
PH da solução
1 90,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
Conteúdo Sólido
% 30-40 30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
Aparência
--
Azul claro
Azul
Branco
Off white
Off white
Off white
Off white
Morfologia de Partículas X
X : S- esférico ; B- Curvo ; P- Em forma de amendoim ; T- Bulboso ; C- Semelhante a uma corrente (estado agregado)
Estabilizando Íons
M:Amina orgânica;K:Hidróxido de potássio;N:Hidróxido de sódio;ou outros componentes
Conteúdo de impurezas metálicas
Z:Série de alta pureza (Série H≤1ppm;Série L≤10ppm);Série padrão (Série M ≤300ppm)

Aplicações de produtos de pasta de polimento CMP:


● Materiais ILD de circuito integrado CMP

● Materiais Poly-Si de circuito integrado CMP

● Materiais semicondutores de wafer de silício de cristal único CMP

● Materiais semicondutores de carboneto de silício CMP

● Materiais STI de circuito integrado CMP

● Materiais de metal de circuito integrado e camada de barreira metálica CMP


Hot Tags: Pasta de polimento CMP
Enviar consulta
Informações de contato
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Utilizamos cookies para lhe oferecer uma melhor experiência de navegação, analisar o tráfego do site e personalizar o conteúdo. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies.política de Privacidade