Tac Coating Chuck

O Chuck de revestimento TAC do VETEK SEMICONDUCOR é a solução ideal para obter resultados excepcionais no processo SIC EPI. Com seu revestimento de carboneto de tântalo, resistência de alta temperatura e inércia química, nosso produto o capacita a produzir cristais de alta qualidade com precisão e confiabilidade.

O carboneto tantalum tantalum é um material comumente usado para revestir a superfície das partes internas do equipamento epitaxial. Tem as seguintes características:

● Excelente resistência à alta temperatura: O revestimento de carboneto de Tantalum pode suportar temperaturas de até 2200 ° C, tornando -as ideais para aplicações em ambientes de alta temperatura, como câmaras de reação epitaxial.

● Alta dureza: A dureza do carboneto de tântalo atinge cerca de 2000 HK, que é muito mais difícil do que a liga de aço inoxidável ou de alumínio comumente usada, que pode efetivamente impedir o desgaste da superfície.

● Forte estabilidade química: O revestimento de carboneto de Tantalum tem um bom desempenho em ambientes quimicamente corrosivos e pode prolongar bastante a vida útil dos componentes de equipamentos epitaxiais.

● Boa condutividade elétrica: A superfície do revestimento tem boa condutividade elétrica, que é propícia à liberação eletrostática e à condução de calor.

Essas propriedades tornam o revestimento de carboneto tantalum tantalum um material ideal para fabricar peças críticas, como buchas internas, paredes da câmara de reação e elementos de aquecimento para equipamentos epitaxiais. Ao revestir esses componentes com o TAC, o desempenho geral e a vida útil do equipamento epitaxial podem ser aprimorados.

Para a epitaxia de carboneto de silício, o pedaço de revestimento TAC também pode desempenhar um papel importante. O revestimento de superfície é suave e denso, que é propício à formação de filmes de carboneto de silício de alta qualidade. Ao mesmo tempo, a excelente condutividade térmica do TAC pode ajudar a melhorar a uniformidade da distribuição de temperatura dentro do equipamento, melhorando assim a precisão do controle de temperatura do processo epitaxial e, finalmente, alcançando maior qualidadeEpitaxial de carboneto de silíciocrescimento de camadas.

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