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Susceptador de barril de grafite revestido com SIC
  • Susceptador de barril de grafite revestido com SICSusceptador de barril de grafite revestido com SIC

Susceptador de barril de grafite revestido com SIC

O susceptador de barril de grafite com revestimento semicondutor de vetek é uma bandeja de wafer de alto desempenho projetada para processos de epitaxia semicondutores, oferecendo excelente condutividade térmica, alta resistência à temperatura e resistência química, uma superfície de alta pureza e opções personalizáveis ​​para aumentar a eficiência da produção. Dê boas -vindas à sua pergunta adicional.

Susceptador de barril de grafite revestido com semicondutores vetek é uma solução avançada projetada especificamente para processos de epitaxia semicondutores, particularmente em reatores de LPE. Esta bandeja de wafer altamente eficiente é projetada para otimizar o crescimento de materiais semicondutores, garantindo desempenho e confiabilidade superiores em exigências de ambientes de fabricação. 


Os produtos Susceptores de barril de grafite da veteksemi têm as seguintes vantagens pendentes


Alta temperatura e resistência química: fabricadas para suportar os rigores de aplicações de alta temperatura, o suscetador de barril revestido com SiC exibe notável resistência ao estresse térmico e corrosão química. Seu revestimento SiC protege o substrato de grafite da oxidação e outras reações químicas que podem ocorrer em ambientes de processamento severos. Essa durabilidade não apenas estende a vida útil do produto, mas também reduz a frequência de substituições, contribuindo para menores custos operacionais e maior produtividade.


Condutividade térmica excepcional: uma das características de destaque do susceptador de barril de grafite revestido com SiC é sua excelente condutividade térmica. Essa propriedade permite a distribuição uniforme de temperatura em toda a bolacha, essencial para alcançar camadas epitaxiais de alta qualidade. A transferência de calor eficiente minimiza os gradientes térmicos, o que pode levar a defeitos nas estruturas de semicondutores, aumentando assim o rendimento geral e o desempenho do processo de epitaxia.


Superfície de alta pureza: o alto-PUA superfície do suscetador de barril revestida com CVD SiC é crucial para manter a integridade dos materiais semicondutores sendo processados. Os contaminantes podem afetar adversamente as propriedades elétricas dos semicondutores, tornando a pureza do substrato um fator crítico na epitaxia bem -sucedida. Com seus processos de fabricação refinados, a superfície revestida com SiC garante contaminação mínima, promovendo o crescimento de cristais de melhor qualidade e o desempenho geral do dispositivo.


Aplicações no processo de epitaxia semicondutores

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor Working Schematic


A aplicação primária do susceptador de barril de grafite revestido com SiC está dentro dos reatores LPE, onde desempenha um papel fundamental no crescimento de camadas de semicondutores de alta qualidade. Sua capacidade de manter a estabilidade em condições extremas e facilitar a distribuição ideal de calor o torna um componente essencial para os fabricantes com foco em dispositivos semicondutores avançados. Ao utilizar esse susceptador, as empresas podem esperar um desempenho aprimorado na produção de materiais semicondutores de alta pureza, abrindo caminho para o desenvolvimento de tecnologias de ponta.


A veteksemi está comprometida há muito tempo em fornecer soluções avançadas de tecnologia e produto para a indústria de semicondutores. Os susceptores de barril de grafite revestidos com SIC semicondutores do VETEK oferecem opções personalizadas adaptadas a aplicativos e requisitos específicos. Seja modificando as dimensões, aprimorando as propriedades térmicas específicas ou adicionando recursos exclusivos para processos especializados, o vetek semicondutor está comprometido em fornecer soluções que atendam totalmente às necessidades do cliente. Sinceramente, esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.


Estrutura de cristal de filme de revestimento SiC CVD SIC

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade
Valor típico
Estrutura cristalina
Policristalina da fase β da FCC, principalmente (111) orientada
Densidade do revestimento
3,21 g/cm³
Dureza do revestimento sic
2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Tamanho de grão
2 ~ 10mm
Pureza química
99,99995%
Capacidade de calor
640 J · kg-1· K-1
Temperatura da sublimação
2700 ℃
Força de flexão
415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade térmica
300W · m-1· K-1
Expansão térmica (CTE)
4,5 × 10-6K-1


Vetek semicondutor SiC revestido com barril de grafite Susception Product Shops


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