Notícias

Notícias da indústria

A solução para o defeito de encapsulamento de carbono em substratos de carboneto de silício12 2026-01

A solução para o defeito de encapsulamento de carbono em substratos de carboneto de silício

Com a transição energética global, a revolução da IA ​​e a onda de tecnologias de informação de nova geração, o carboneto de silício (SiC) avançou rapidamente de um “material potencial” para um “material fundamental estratégico” devido às suas propriedades físicas excepcionais.
O que é o barco de wafer de cerâmica de carboneto de silício (SiC)?08 2026-01

O que é o barco de wafer de cerâmica de carboneto de silício (SiC)?

Em processos de semicondutores de alta temperatura, o manuseio, o suporte e o tratamento térmico dos wafers dependem de um componente de suporte especial – o barco do wafer. À medida que as temperaturas do processo aumentam e os requisitos de limpeza e controle de partículas aumentam, os tradicionais barcos de wafer de quartzo revelam gradualmente problemas como vida útil curta, altas taxas de deformação e baixa resistência à corrosão.
Por que o crescimento do cristal SiC PVT é estável na produção em massa?29 2025-12

Por que o crescimento do cristal SiC PVT é estável na produção em massa?

Para a produção em escala industrial de substratos de carboneto de silício, o sucesso de uma única corrida de crescimento não é o objetivo final. O verdadeiro desafio reside em garantir que os cristais cultivados em diferentes lotes, ferramentas e períodos de tempo mantenham um alto nível de consistência e repetibilidade na qualidade. Neste contexto, o papel do revestimento de carboneto de tântalo (TaC) vai além da proteção básica – torna-se um fator chave na estabilização da janela do processo e na salvaguarda do rendimento do produto.
X
Utilizamos cookies para lhe oferecer uma melhor experiência de navegação, analisar o tráfego do site e personalizar o conteúdo. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies.política de Privacidade