Susceptor RTP revestido com CVD SiC

Características

• Uniformidade térmica – A alta difusividade térmica do material permite uma transferência de calor rápida e espacialmente uniforme, suportando perfis de temperatura de wafer repetíveis.
• Alto nível de pureza – O revestimento CVD SiC atinge uma pureza de 99,99995%, reduzindo efetivamente os riscos de contaminação por íons móveis e metais em etapas críticas do processo.
• Durabilidade química – O revestimento apresenta forte resistência a espécies corrosivas, incluindo gases à base de halogênio, sob temperaturas elevadas.l Intervalos de serviço estendidos – Maior resistência à oxidação e ao desgaste se traduz em menos substituições e redução no tempo de inatividade da ferramenta.
• Flexibilidade de design – As dimensões e configurações podem ser adaptadas para corresponder às geometrias específicas da câmara RTP e aos tamanhos de wafer.

Aplicativos

• Processamento Térmico Rápido (RTP)
• Recozimento Térmico Rápido (RTA)
• Etapas de oxidação e recozimento de ativação do dopante
• Fabricação de circuitos integrados (IC)
• Fabricação de dispositivos de energiaTécnico

Especificações

Por que escolher o semicondutor VeTek?

· Processo interno de revestimento CVD SiC desenvolvido especificamente para requisitos de grau de semicondutores.

· Capacidades integradas para purificação de grafite, usinagem de precisão e controle de espessura de revestimento.

· Adesão de revestimento e uniformidade de camada comprovadas em toda a produção em lote.

· Suporte de engenharia para projetos de susceptores personalizados compatíveis com as principais plataformas de ferramentas RTP.

· A rigorosa inspeção de materiais recebidos, o monitoramento durante o processo e os testes de qualificação final garantem a consistência entre lotes.