Tecnologia e soluções

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01 Limites de Desempenho de SiC CVD, TaC e SiC Sólido em Processos de Epitaxia e Gravura
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01 Limites de Desempenho de SiC CVD, TaC e SiC Sólido em Processos de Epitaxia e Gravura

A seleção do SiC CVD, revestimento TaC ou SiC sólido correto determina diretamente os níveis de partículas e a vida útil dos componentes nas linhas de epitaxia/decapagem. Este artigo fornece limites de seleção claros por temperatura, atmosfera e processo, combinados com as principais soluções de substituição de equipamentos e métricas importantes, para ajudá-lo a tomar decisões rápidas e reduzir riscos.
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Tecnologia de laser guiado por água: usinagem de microfuros de precisão para substratos de SiC
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Tecnologia de laser guiado por água: usinagem de microfuros de precisão para substratos de SiC

Descubra como a tecnologia de laser guiado por água da VeTek oferece furos passantes uniformes de Φ0,15mm em substratos de SiC de 2mm sem conicidade, HAZ mínimo e alto rendimento para aplicações de semicondutores.
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Solução de pino de elevação oco VETEK-AMAT: substrato de grafite de alta pureza com revestimento CVD SiC
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Solução de pino de elevação oco VETEK-AMAT: substrato de grafite de alta pureza com revestimento CVD SiC

A questão técnica mais desafiadora para pinos de elevação ocos de equipamentos semicondutores não é o revestimento da superfície externa, mas a obtenção de um revestimento CVD estável e uniforme na parede interna da estrutura oca. Do controle de uniformidade do revestimento da parede interna à garantia de limpeza do furo interno, cada etapa do processo afeta diretamente o rendimento do wafer. Este artigo analisa os principais desafios do revestimento da parede interna do pino de elevação oco e os principais caminhos técnicos.
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