Produtos
Pino de elevação de wafer SiC AMAT 0200-03201 CVD
  • Pino de elevação de wafer SiC AMAT 0200-03201 CVDPino de elevação de wafer SiC AMAT 0200-03201 CVD

Pino de elevação de wafer SiC AMAT 0200-03201 CVD

Este pino de levantamento wafer AMAT 0200-03201 da VeTek começa com grafite de alta pureza e, em seguida, adicionamos um revestimento denso de CVD SiC por cima. É feito para sistemas epitaxia de 300 mm e reatores EPI de materiais aplicados. Por que grafite e SiC? O grafite lida muito bem com o calor. A camada de SiC absorve gases corrosivos e não se desgasta rapidamente. O design de parede fina? Isso proporciona um levantamento e posicionamento mais limpos do wafer, menos partículas e maior vida útil da peça sob altas temperaturas. Também fabricamos peças semelhantes de grafite revestidas com SiC para sistemas ASM, Aixtron e LPE. Aguardamos sua consulta.

Recursos do produto

 ● Núcleo de grafite de alta pureza + revestimento CVD SiC – construído para produção real de semicondutores.

 ● Lida com execuções de epitaxia em alta temperatura sem perder a estabilidade mecânica, ciclo após ciclo.

 ● O formato de parede fina reduz a massa térmica e melhora a precisão do manuseio do wafer.

 ● A camada de SiC resiste a gases de processo agressivos e limpeza química.

 ● Revestimento suave e uniforme significa menos derramamento de partículas e processamento mais estável. Mantemos tolerâncias rígidas com usinagem CNC para peças semicondutoras críticas.


CVD-SIC-FILM-CRYSTAL-STRUCTURE

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade
Valor típico
Estrutura Cristalina
FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade do revestimento CVD SiC
3,21g/cm³
Dureza do revestimento SiC
Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão
2~10μm
Pureza Química
99,99995%
Capacidade de calor
640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação
2700°C
Resistência à Flexão
415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young
Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica
300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)
4,5×10-6K-1


Aplicativos

 ● Epitaxia de silício (Si EPI) – levantamento, posicionamento e movimentação de wafers dentro de reatores de 300 mm.

 ● Processamento geral de wafers semicondutores onde você precisa de estabilidade térmica, resistência à corrosão, baixo teor de partículas e longa vida útil das peças.

 ● Câmaras de epitaxia AMAT e sistemas de manuseio de wafers compatíveis.


Por que escolher o semicondutor VeTek

 ● Grafite revestida com SiC de alta pureza destinada ao uso em semicondutores.

 ● A estabilidade térmica e a resistência química são sólidas.

 ● Mantenha as tolerâncias rigorosas – a usinagem de precisão é o nosso objetivo.

 ● Compatível com AMAT, ASM, Aixtron e LPE.

Vetek Semiconductor products shop

Hot Tags: Pino de elevação de wafer SiC AMAT 0200-03201 CVD
Enviar consulta
Informações de contato
Para dúvidas sobre revestimento de carboneto de silício, revestimento de carboneto de tântalo, grafite especial ou lista de preços, deixe seu e-mail para nós e entraremos em contato em até 24 horas.
X
Utilizamos cookies para lhe oferecer uma melhor experiência de navegação, analisar o tráfego do site e personalizar o conteúdo. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies.política de Privacidade
RejeitarAceitar