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Os revestimentos de tantalum (TAC) são amplamente utilizados no campo de semicondutores, principalmente para componentes do reator de crescimento epitaxial, componentes-chave de crescimento de cristal único, componentes industriais de alta temperatura, resistência ao sistema MOCVD e portadores de resistência ao sistema de alta temperatura.

Durante o processo de crescimento epitaxial do SiC, pode ocorrer falha na suspensão de grafite revestida com SiC. Este artigo conduz uma análise rigorosa do fenômeno de falha da suspensão de grafite revestida com SiC, que inclui principalmente dois fatores: falha do gás epitaxial de SiC e falha do revestimento de SiC.

Este artigo discute principalmente as respectivas vantagens e diferenças do processo de Epitaxia por Feixe Molecular e tecnologias de deposição de vapor químico metal-orgânico.

O carboneto de tântalo poroso da VeTek Semiconductor, como uma nova geração de material de crescimento de cristal de SiC, tem muitas propriedades de produto excelentes e desempenha um papel fundamental em uma variedade de tecnologias de processamento de semicondutores.

O princípio de trabalho do forno epitaxial é depositar materiais semicondutores em um substrato sob alta temperatura e alta pressão. O crescimento epitaxial do silício é cultivar uma camada de cristal com a mesma orientação do cristal que o substrato e a espessura diferente em um substrato de cristal único de silício com uma certa orientação do cristal. Este artigo apresenta principalmente os métodos de crescimento epitaxial do silício: epitaxia da fase de vapor e epitaxia da fase líquida.

A deposição química de vapor (DCV) na fabricação de semicondutores é usada para depositar materiais de filme fino na câmara, incluindo SiO2, Sin, etc., e os tipos comumente usados ​​incluem PECVD e LPCVD. Ao ajustar a temperatura, a pressão e o tipo de gás, a DCV atinge alta pureza, uniformidade e boa cobertura de filme para atender a diferentes requisitos de processo.

Este artigo descreve principalmente as amplas perspectivas de aplicação da cerâmica de carboneto de silício. Também se concentra na análise das causas das fissuras de sinterização em cerâmicas de carboneto de silício e nas soluções correspondentes.

A tecnologia de gravação na fabricação de semicondutores freqüentemente encontra problemas como efeito de carga, efeito de microranhura e efeito de carga, que afetam a qualidade do produto. As soluções de melhoria incluem otimizar a densidade do plasma, ajustar a composição do gás de reação, melhorar a eficiência do sistema de vácuo, projetar um layout de litografia razoável e selecionar materiais de máscara de gravação e condições de processo apropriados.

A sinterização a quente é o principal método para a preparação da cerâmica sic de alto desempenho. O processo de sinterização de prensagem a quente inclui: selecionando pó de alta pureza, pressionando e moldando sob alta temperatura e alta pressão e depois sinterização. A cerâmica do siC preparada por esse método tem as vantagens de alta pureza e alta densidade e são amplamente utilizadas em discos de moagem e equipamentos de tratamento térmico para processamento de bolacas.

Os principais métodos de crescimento do carboneto de silício (SiC) incluem PVT, TSSG e HTCVD, cada um com vantagens e desafios distintos. Materiais de campo térmico à base de carbono, como sistemas de isolamento, cadinhos, revestimentos de TaC e grafite porosa, melhoram o crescimento do cristal, fornecendo estabilidade, condutividade térmica e pureza, essenciais para a fabricação e aplicação precisas do SiC.

O SiC possui alta dureza, condutividade térmica e resistência à corrosão, tornando-o ideal para a fabricação de semicondutores. O revestimento CVD SiC é criado por meio de deposição química de vapor, proporcionando alta condutividade térmica, estabilidade química e uma constante de rede correspondente para crescimento epitaxial. Sua baixa expansão térmica e alta dureza garantem durabilidade e precisão, tornando-o essencial em aplicações como transportadores de wafer, anéis de pré-aquecimento e muito mais. A VeTek Semiconductor é especializada em revestimentos SiC personalizados para diversas necessidades da indústria.

O carboneto de silício (SIC) é um material semicondutor de alta precisão conhecido por suas excelentes propriedades, como resistência à alta temperatura, resistência à corrosão e alta resistência mecânica. Possui mais de 200 estruturas cristalinas, sendo 3C-SIC o único tipo cúbico, oferecendo esfericidade e densificação naturais superiores em comparação com outros tipos. O 3C-SIC se destaca por sua alta mobilidade de elétrons, tornando-o ideal para MOSFETs em eletrônicos de energia. Além disso, mostra um grande potencial em nanoeletrônicos, LEDs azuis e sensores.

O diamante, um potencial “semicondutor definitivo” de quarta geração, está ganhando atenção em substratos semicondutores devido à sua excepcional dureza, condutividade térmica e propriedades elétricas. Embora o seu elevado custo e os desafios de produção limitem a sua utilização, a DCV é o método preferido. Apesar do doping e dos desafios do cristal em grandes áreas, o diamante é promissor.

SiC e GaN são semicondutores amplos de banda com vantagens sobre o silício, como tensões de ruptura mais altas, velocidades de comutação mais rápidas e eficiência superior. O SiC é melhor para aplicações de alta tensão e de alta potência devido à sua maior condutividade térmica, enquanto o GAN se destaca em aplicações de alta frequência graças à sua mobilidade eletrônica superior.

A evaporação por feixe de elétrons é um método de revestimento altamente eficiente e amplamente utilizado em comparação ao aquecimento por resistência, que aquece o material de evaporação com um feixe de elétrons, fazendo com que ele vaporize e condense em uma película fina.