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O revestimento a vácuo inclui vaporização de material de filme, transporte a vácuo e crescimento fino do filme. De acordo com os diferentes métodos de vaporização do material de filme e processos de transporte, o revestimento a vácuo pode ser dividido em duas categorias: PVD e DCV.

Este artigo descreve os parâmetros físicos e características do produto da Grafite Porosa da VeTek Semiconductor, bem como suas aplicações específicas no processamento de semicondutores.

Este artigo analisa as características do produto e os cenários de aplicação do revestimento de carboneto de Tantalum e revestimento de carboneto de silício de múltiplas perspectivas.

A deposição de filmes finos é vital na fabricação de chips, criando micro dispositivos depositando filmes com menos de 1 mícrons de espessura via CVD, ALD ou PVD. Esses processos constroem componentes semicondutores por meio de filmes condutores e isolantes alternados.

O processo de fabricação de semicondutores envolve oito etapas: processamento de bolas, oxidação, litografia, gravura, deposição de filmes finos, interconexão, teste e embalagem. O silício da areia é processado em bolachas, oxidadas, padronizadas e gravadas para circuitos de alta precisão.

Este artigo descreve que o substrato de LED é a maior aplicação de safira, bem como os principais métodos de preparação de cristais de safira: cultivo de cristais de safira pelo método Czochralski, crescendo cristais de safira pelos métodos de kyropoulos, os métodos de cultivo de sabores.

O artigo explica o gradiente de temperatura em um forno de cristal único. Ele abrange os campos de calor estático e dinâmico durante o crescimento do cristal, a interface sólida-líquido e o papel do gradiente de temperatura na solidificação.

O processo de Taiko divide as bolachas de silício usando seus princípios, vantagens técnicas e origens do processo.

Furno epitaxial SIC de 8 polegadas e pesquisa de processo homoepitaxial

O artigo analisa as propriedades do material de wafers de substrato semicondutor, como silício, GaAs, SiC e GaN

Este artigo descreve principalmente a tecnologia epitaxial de baixa temperatura baseada em GaN, incluindo a estrutura cristalina dos materiais baseados em GaN, 3. Requisitos de tecnologia epitaxial e soluções de implementação, as vantagens da tecnologia epitaxial de baixa temperatura com base nos princípios de PVD e nas perspectivas de desenvolvimento da tecnologia epitaxial de baixa temperatura.

Este artigo introduz primeiro a estrutura molecular e as propriedades físicas do TAC e concentra -se nas diferenças e aplicações de carboneto de tântalo sinterizado e carboneto de Tantalum CVD, bem como os populares produtos de revestimento TAC do VETEK Semiconductor.

Este artigo apresenta as características do produto do revestimento TAC CVD, o processo de preparação do revestimento TAC CVD usando o método CVD e o método básico para a detecção de morfologia da superfície do revestimento TAC CVD preparado.

Este artigo apresenta as características do produto do revestimento TaC, o processo específico de preparação de produtos de revestimento TaC usando tecnologia CVD, apresenta o revestimento TaC mais popular da Veteksemicon e analisa brevemente as razões para a escolha da Veteksemicon.

Este artigo analisa as razões pelas quais o SiC cobre um material essencial para o crescimento epitaxial do SIC e se concentra nas vantagens específicas do revestimento SiC na indústria de semicondutores.

Os nanomateriais de carboneto de silício (SiC) são materiais com pelo menos uma dimensão na escala de nanômetros (1-100nm). Esses materiais podem ser zero-, um, dois ou tridimensionais e têm aplicações diversas.