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Este artigo discute principalmente as respectivas vantagens e diferenças do processo de Epitaxia por Feixe Molecular e tecnologias de deposição de vapor químico metal-orgânico.

O carboneto de tântalo poroso da VeTek Semiconductor, como uma nova geração de material de crescimento de cristal de SiC, tem muitas propriedades de produto excelentes e desempenha um papel fundamental em uma variedade de tecnologias de processamento de semicondutores.

O princípio de trabalho do forno epitaxial é depositar materiais semicondutores em um substrato sob alta temperatura e alta pressão. O crescimento epitaxial do silício é cultivar uma camada de cristal com a mesma orientação do cristal que o substrato e a espessura diferente em um substrato de cristal único de silício com uma certa orientação do cristal. Este artigo apresenta principalmente os métodos de crescimento epitaxial do silício: epitaxia da fase de vapor e epitaxia da fase líquida.

A deposição química de vapor (DCV) na fabricação de semicondutores é usada para depositar materiais de filme fino na câmara, incluindo SiO2, Sin, etc., e os tipos comumente usados ​​incluem PECVD e LPCVD. Ao ajustar a temperatura, a pressão e o tipo de gás, a DCV atinge alta pureza, uniformidade e boa cobertura de filme para atender a diferentes requisitos de processo.