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Furno epitaxial SIC de 8 polegadas e pesquisa de processo homoepitaxial29 2024-08

Furno epitaxial SIC de 8 polegadas e pesquisa de processo homoepitaxial

Furno epitaxial SIC de 8 polegadas e pesquisa de processo homoepitaxial
Wafer de substrato semicondutor: propriedades materiais de silício, GaAs, SiC e GaN28 2024-08

Wafer de substrato semicondutor: propriedades materiais de silício, GaAs, SiC e GaN

O artigo analisa as propriedades do material de wafers de substrato semicondutor, como silício, GaAs, SiC e GaN
Tecnologia de epitaxia de baixa temperatura baseada em GaN27 2024-08

Tecnologia de epitaxia de baixa temperatura baseada em GaN

Este artigo descreve principalmente a tecnologia epitaxial de baixa temperatura baseada em GaN, incluindo a estrutura cristalina dos materiais baseados em GaN, 3. Requisitos de tecnologia epitaxial e soluções de implementação, as vantagens da tecnologia epitaxial de baixa temperatura com base nos princípios de PVD e nas perspectivas de desenvolvimento da tecnologia epitaxial de baixa temperatura.
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