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O diamante, um potencial “semicondutor definitivo” de quarta geração, está ganhando atenção em substratos semicondutores devido à sua excepcional dureza, condutividade térmica e propriedades elétricas. Embora o seu elevado custo e os desafios de produção limitem a sua utilização, a DCV é o método preferido. Apesar do doping e dos desafios do cristal em grandes áreas, o diamante é promissor.

SiC e GaN são semicondutores amplos de banda com vantagens sobre o silício, como tensões de ruptura mais altas, velocidades de comutação mais rápidas e eficiência superior. O SiC é melhor para aplicações de alta tensão e de alta potência devido à sua maior condutividade térmica, enquanto o GAN se destaca em aplicações de alta frequência graças à sua mobilidade eletrônica superior.

A evaporação por feixe de elétrons é um método de revestimento altamente eficiente e amplamente utilizado em comparação ao aquecimento por resistência, que aquece o material de evaporação com um feixe de elétrons, fazendo com que ele vaporize e condense em uma película fina.