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Os principais métodos para o cultivo de cristais únicos SiC são: transporte físico de vapor (PVT), deposição de vapor químico de alta temperatura (HTCVD) e crescimento da solução de alta temperatura (HTSG).

Com o desenvolvimento da indústria fotovoltaica solar, os fornos de difusão e os fornos LPCVD são o principal equipamento para a produção de células solares, que afetam diretamente o desempenho eficiente das células solares. Com base no desempenho abrangente do produto e no custo de uso, os materiais de cerâmica de carboneto de silício têm mais vantagens no campo das células solares do que os materiais de quartzo. A aplicação de materiais de cerâmica de carboneto de silício na indústria fotovoltaica pode ajudar muito as empresas fotovoltaicas a reduzir custos auxiliares de investimento de materiais, melhorar a qualidade e a competitividade do produto. A tendência futura dos materiais de cerâmica de carboneto de silício no campo fotovoltaico é principalmente para maior pureza, capacidade de suporte de carga mais forte, maior capacidade de carregamento e menor custo.

O artigo analisa os desafios específicos enfrentados pelo processo de revestimento CVD TaC para crescimento de cristal único de SiC durante o processamento de semicondutores, como fonte de material e controle de pureza, otimização de parâmetros de processo, adesão de revestimento, manutenção de equipamentos e estabilidade de processo, proteção ambiental e controle de custos, bem como bem como as soluções industriais correspondentes.